一種帶有軟啟動(dòng)的精密CMOS帶隙基準(zhǔn)設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問次數(shù):450
帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn),所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、a/d或d/a轉(zhuǎn)換器、ldo穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。
本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的cmos帶隙基準(zhǔn)源。采用umc公司的0.6μm 2p2m標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真,hspice的仿真結(jié)果表明該基準(zhǔn)在溫度特性、電源抑制比、功耗和啟動(dòng)時(shí)間方面有著良好的性能。
1 帶隙基準(zhǔn)的基本原理
帶隙基準(zhǔn)的基本原理是根據(jù)硅材料的帶隙電壓和溫度無(wú)關(guān)的特性,利用△vbe的正溫度系數(shù)與雙極型晶體管vbe的負(fù)溫度系數(shù)相互抵消,實(shí)現(xiàn)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓[1]。雙極型晶體管提供發(fā)射極偏壓vbe;由兩個(gè)晶體管之間的△be產(chǎn)生vt,通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)將vt放大a倍;最后將兩個(gè)電壓相加,即vref=vbe+avt,適當(dāng)選擇放大倍數(shù)a,使兩個(gè)電壓的溫度漂移相互抵消,從而可以得到在某一溫度下為零溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)[2]。
可知一般二極管上電流和電壓的關(guān)系為[3]:
式中:vt=kt/q為熱電壓;k為玻爾茲曼常數(shù);q為電荷量。
r1、r2、r3,以及q1、q2構(gòu)成帶隙電壓產(chǎn)生器,運(yùn)算放大器op和m16為反饋電路,保證a和b點(diǎn)電位相等。由運(yùn)算放大器的性質(zhì)可知:
式中:ae2、ae1分別是q2和q1管的發(fā)射區(qū)面積,它們的比值為n:1。
由于va=vr,就有,i2r2=i1r1,代入式(3)得:
于是就有以下關(guān)系:
可得出:
從式(7)中可得到基準(zhǔn)電壓只與pn結(jié)的正向壓降、電阻的比值以及q2和q1管的發(fā)射區(qū)面積的比值有關(guān),因此在實(shí)際的工藝制作中將會(huì)有很高的精度。基準(zhǔn)建立后,基準(zhǔn)電壓與輸入電壓無(wú)關(guān)。第1項(xiàng)veb具有負(fù)溫度系數(shù),在室溫時(shí)約為-2 mv/℃;第2項(xiàng)vt具有正溫度系數(shù),在室溫時(shí)約為+0.087 mv/℃。通過(guò)設(shè)定合適的工作點(diǎn),便可以使兩項(xiàng)之和在某一溫度
下達(dá)到零溫度系數(shù),從而得到具有較好溫度特性的電壓基準(zhǔn)。
ib是基準(zhǔn)提供給其他模塊的電流,與i0成比例,而i0為:
2 基準(zhǔn)實(shí)際電路的實(shí)現(xiàn)與分析
運(yùn)算放大器op的構(gòu)成如下:差分輸入級(jí)m10、m11,有源負(fù)載m17、m18,cascode電流偏置m4、m5,m15和m16為第2級(jí)放大。r1,、r2、r3和q1,q2及運(yùn)算放大器構(gòu)成帶隙基準(zhǔn)核心電路。cascode電流鏡[4]m3、m2、m1、m6、m7、m8、m9以及m4和m5構(gòu)成整個(gè)基準(zhǔn)模塊的偏置電流源,具有高輸出阻抗的特點(diǎn),穩(wěn)定性好。m20為cas-code電流源的負(fù)載。m12、m19、m21、m23和m25是使能管,對(duì)輸入的使能信號(hào)進(jìn)行邏輯反操作,從而決定電路工作與否。c1是第一級(jí)與第二級(jí)放大器之間的補(bǔ)償電容,保證了穩(wěn)定性;同時(shí)它還是電路軟啟動(dòng)電容。
2.1 基準(zhǔn)的使能原理
en為高電平時(shí),使能關(guān)斷有效。只要en高電平時(shí),nen為低電平,則使能管工作,整個(gè)電路中的偏置電流源被關(guān)斷,有源負(fù)載截止而呈現(xiàn)非常高的阻抗。為了防止晶體管q1,q2的be結(jié)有能量?jī)?chǔ)存,m25保證vref完全為0,m23保證,ib電流完全為0,電路完全關(guān)斷。en為高電平時(shí),使能管截止,電路正常工作。
2.2 基準(zhǔn)的啟動(dòng)原理
該電路中利用電容c1進(jìn)行軟啟動(dòng)[5]。系統(tǒng)剛上電,基準(zhǔn)啟動(dòng)模塊通過(guò)信號(hào)線對(duì)電容c1充電,直到c1上的電壓使m15和m16導(dǎo)通,基準(zhǔn)模塊的電流偏置建立起來(lái);從而使運(yùn)放工作,基準(zhǔn)開始啟動(dòng),當(dāng)基準(zhǔn)電壓達(dá)到一定值(一般為o.9 v左右),啟動(dòng)模塊被關(guān)閉,沒有電流從啟動(dòng)模塊輸出,此時(shí)電容c1作為頻率補(bǔ)償電容;所以經(jīng)過(guò)一段時(shí)間(25μs左右),這個(gè)閉合回路將達(dá)到穩(wěn)定,基準(zhǔn)建立起來(lái),最終值為1.293 v。
2.3 基準(zhǔn)軟啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)
基準(zhǔn)的軟啟動(dòng)的等效結(jié)構(gòu)如圖3所示。其中電流源i3、,i4為電路提供較穩(wěn)定的偏置電流,帶隙電壓vre通過(guò)非門得到nref控制m14的工作狀態(tài)。芯片剛上電時(shí),基準(zhǔn)源電路沒有啟動(dòng),vref為低電平,經(jīng)過(guò)"非"后
帶隙基準(zhǔn)是所有基準(zhǔn)電壓中最受歡迎的一種,由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無(wú)關(guān)的突出優(yōu)點(diǎn),所以被廣泛地應(yīng)用于高精度的比較器、a/d或d/a轉(zhuǎn)換器、ldo穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流,這就要求基準(zhǔn)對(duì)電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。
本文結(jié)合工程實(shí)際的要求設(shè)計(jì)了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動(dòng)的cmos帶隙基準(zhǔn)源。采用umc公司的0.6μm 2p2m標(biāo)準(zhǔn)cmos工藝模型庫(kù)進(jìn)行仿真,hspice的仿真結(jié)果表明該基準(zhǔn)在溫度特性、電源抑制比、功耗和啟動(dòng)時(shí)間方面有著良好的性能。
1 帶隙基準(zhǔn)的基本原理
帶隙基準(zhǔn)的基本原理是根據(jù)硅材料的帶隙電壓和溫度無(wú)關(guān)的特性,利用△vbe的正溫度系數(shù)與雙極型晶體管vbe的負(fù)溫度系數(shù)相互抵消,實(shí)現(xiàn)低溫漂、高精度的基準(zhǔn)電壓[1]。雙極型晶體管提供發(fā)射極偏壓vbe;由兩個(gè)晶體管之間的△be產(chǎn)生vt,通過(guò)電阻網(wǎng)絡(luò)將vt放大a倍;最后將兩個(gè)電壓相加,即vref=vbe+avt,適當(dāng)選擇放大倍數(shù)a,使兩個(gè)電壓的溫度漂移相互抵消,從而可以得到在某一溫度下為零溫度系數(shù)的電壓基準(zhǔn)[2]。
可知一般二極管上電流和電壓的關(guān)系為[3]:
式中:vt=kt/q為熱電壓;k為玻爾茲曼常數(shù);q為電荷量。
r1、r2、r3,以及q1、q2構(gòu)成帶隙電壓產(chǎn)生器,運(yùn)算放大器op和m16為反饋電路,保證a和b點(diǎn)電位相等。由運(yùn)算放大器的性質(zhì)可知:
式中:ae2、ae1分別是q2和q1管的發(fā)射區(qū)面積,它們的比值為n:1。
由于va=vr,就有,i2r2=i1r1,代入式(3)得:
于是就有以下關(guān)系:
可得出:
從式(7)中可得到基準(zhǔn)電壓只與pn結(jié)的正向壓降、電阻的比值以及q2和q1管的發(fā)射區(qū)面積的比值有關(guān),因此在實(shí)際的工藝制作中將會(huì)有很高的精度;鶞(zhǔn)建立后,基準(zhǔn)電壓與輸入電壓無(wú)關(guān)。第1項(xiàng)veb具有負(fù)溫度系數(shù),在室溫時(shí)約為-2 mv/℃;第2項(xiàng)vt具有正溫度系數(shù),在室溫時(shí)約為+0.087 mv/℃。通過(guò)設(shè)定合適的工作點(diǎn),便可以使兩項(xiàng)之和在某一溫度
下達(dá)到零溫度系數(shù),從而得到具有較好溫度特性的電壓基準(zhǔn)。
ib是基準(zhǔn)提供給其他模塊的電流,與i0成比例,而i0為:
2 基準(zhǔn)實(shí)際電路的實(shí)現(xiàn)與分析
運(yùn)算放大器op的構(gòu)成如下:差分輸入級(jí)m10、m11,有源負(fù)載m17、m18,cascode電流偏置m4、m5,m15和m16為第2級(jí)放大。r1,、r2、r3和q1,q2及運(yùn)算放大器構(gòu)成帶隙基準(zhǔn)核心電路。cascode電流鏡[4]m3、m2、m1、m6、m7、m8、m9以及m4和m5構(gòu)成整個(gè)基準(zhǔn)模塊的偏置電流源,具有高輸出阻抗的特點(diǎn),穩(wěn)定性好。m20為cas-code電流源的負(fù)載。m12、m19、m21、m23和m25是使能管,對(duì)輸入的使能信號(hào)進(jìn)行邏輯反操作,從而決定電路工作與否。c1是第一級(jí)與第二級(jí)放大器之間的補(bǔ)償電容,保證了穩(wěn)定性;同時(shí)它還是電路軟啟動(dòng)電容。
2.1 基準(zhǔn)的使能原理
en為高電平時(shí),使能關(guān)斷有效。只要en高電平時(shí),nen為低電平,則使能管工作,整個(gè)電路中的偏置電流源被關(guān)斷,有源負(fù)載截止而呈現(xiàn)非常高的阻抗。為了防止晶體管q1,q2的be結(jié)有能量?jī)?chǔ)存,m25保證vref完全為0,m23保證,ib電流完全為0,電路完全關(guān)斷。en為高電平時(shí),使能管截止,電路正常工作。
2.2 基準(zhǔn)的啟動(dòng)原理
該電路中利用電容c1進(jìn)行軟啟動(dòng)[5]。系統(tǒng)剛上電,基準(zhǔn)啟動(dòng)模塊通過(guò)信號(hào)線對(duì)電容c1充電,直到c1上的電壓使m15和m16導(dǎo)通,基準(zhǔn)模塊的電流偏置建立起來(lái);從而使運(yùn)放工作,基準(zhǔn)開始啟動(dòng),當(dāng)基準(zhǔn)電壓達(dá)到一定值(一般為o.9 v左右),啟動(dòng)模塊被關(guān)閉,沒有電流從啟動(dòng)模塊輸出,此時(shí)電容c1作為頻率補(bǔ)償電容;所以經(jīng)過(guò)一段時(shí)間(25μs左右),這個(gè)閉合回路將達(dá)到穩(wěn)定,基準(zhǔn)建立起來(lái),最終值為1.293 v。
2.3 基準(zhǔn)軟啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)
基準(zhǔn)的軟啟動(dòng)的等效結(jié)構(gòu)如圖3所示。其中電流源i3、,i4為電路提供較穩(wěn)定的偏置電流,帶隙電壓vre通過(guò)非門得到nref控制m14的工作狀態(tài)。芯片剛上電時(shí),基準(zhǔn)源電路沒有啟動(dòng),vref為低電平,經(jīng)過(guò)"非"后
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