microsemi公司宣布推出一個(gè)包括有38個(gè)標(biāo)準(zhǔn)功率模塊的新產(chǎn)品系列，該系列產(chǎn)品采用非常扁平的超薄型緊湊sp1封裝。主要應(yīng)用于功率因數(shù)校正、電動(dòng)機(jī)控制、ups、電源、太陽(yáng)能逆變器以及電焊機(jī)變換器等。

由于新產(chǎn)品系列的外廓只有12mm高，所以寄生電感極��；可焊接引腳容易安裝到頂部印制的電路板上。該系列模塊集成了一個(gè)基板，因而可以使用更薄的dbc 襯底。這使得模塊與散熱器之間能完全電隔離的同時(shí)，又具有極好的散熱能力，很低的熱阻。

　　這個(gè)超薄緊湊型新系列模塊，相當(dāng)于兩個(gè)sot227封裝組合在單個(gè)sp1封裝中，填補(bǔ)了sot227和sp3封裝產(chǎn)品尺寸之間的空白。sp3模塊相當(dāng)于四個(gè)sot227封裝的組合。

　　在merignac, france的功率模塊產(chǎn)品開(kāi)發(fā)部總監(jiān)serge bontemps說(shuō)：“sp1封裝具有的超薄扁平外廓和內(nèi)部布局使得模塊的寄生電感極小，因此終端用戶能夠獲得超快半導(dǎo)體器件的卓越性能。我們sp1新產(chǎn)品系列的38個(gè)功率模塊在涉及器件所占空間、電和熱性能、重量以及價(jià)格的方方面面提供了多種極好的選擇。”

　　microsemi的這個(gè)新模塊系列產(chǎn)品包括有相臂(phase leg)、全橋(full bridge)、降壓(buck)和升壓(boost)電路組合。全橋模塊的發(fā)射極/源極位于底部，為使用電流傳感器提供了分開(kāi)的單獨(dú)連接。所有的新模塊都集成了一個(gè)熱傳感器，能對(duì)外殼的溫度進(jìn)行監(jiān)測(cè)，并提供過(guò)熱保護(hù)。

　　四種電路組合模塊提供多種類型晶體管的選擇：如相臂和全橋模塊采用fredfet為開(kāi)關(guān)器件；降壓和升壓模塊采用標(biāo)準(zhǔn)mosfet，另外也可采用coolmos, npt和trench igbt等作為開(kāi)關(guān)器件。

　　所有的 sp1封裝的 mosfet 和 fredfet標(biāo)準(zhǔn)模塊都采用microsemi 功率產(chǎn)品部開(kāi)發(fā)的最新mos8tm 功率 mosfet。mosfet、fredfet 和 coolmos? 模塊的電壓范圍為500v ~1200v，電流額定值范圍為11a~70a@tc=80℃。npt和trench igbt模塊的電壓范圍為600v~1700v，電流額定值范圍為20a ~150a@tc= 80℃。

　　雖然sp1系列產(chǎn)品是為工業(yè)應(yīng)用所設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)模塊，但是很容易升級(jí)它們，能承受更加苛刻的環(huán)境要求：
　　- 可用氮化鋁襯底替代標(biāo)準(zhǔn)氧化鋁襯底來(lái)提高熱性能
　　- 可用碳化硅(sic)二極管替代快恢復(fù)外延二極管(fred)，來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗或提高開(kāi)關(guān)頻率
　　- 可用碳化硅鋁(alsic)基板替代標(biāo)準(zhǔn)的銅基板來(lái)減輕重量，延長(zhǎng)在寬范圍溫度循環(huán)下的使用壽命

　　樣品可立即獲得，訂貨量為10k塊的訂貨至交貨的時(shí)間為8至12周。當(dāng)購(gòu)買數(shù)量為1000 至2500塊時(shí)，價(jià)格在$13.60~$48.17之間。

　　有關(guān)全新的sp1功率模塊系列的完整文件、數(shù)據(jù)手冊(cè)可在 microsemi公司的網(wǎng)站www.microsemi.com獲得。