英飛凌科技股份公司近日在中國國際電源展覽會上宣布推出采用superso8和s308（shrink superso8）封裝的40v、60v和80v optimos 3 n溝道m(xù)osfet，在這些擊穿電壓下可提供無鉛封裝形式下的全球最低通態(tài)電阻。superso8封裝與標準to（晶體管外形）封裝相比，可使功率密度增大50%，特別是對于服務器開關模式電源的同步整流應用而言。

　　舉例來說，這種采用superso8封裝的器件可以只用20%的占位空間提供與d2-pak封裝相同的通態(tài)電阻。

　　“該無鉛結構封裝具備較低的封裝寄生電阻和電感，最大程度降低了對整個器件性能的影響，便于充分利用optimos 3硅技術功能。”英飛凌電源管理與驅動產品事業(yè)部負責人gerhard wolf指出。

　　全新optimos 3系列可提供出類拔萃的通態(tài)電阻，optimos 3 40v系列采用superso8封裝具備最低1.8 mω的通態(tài)電阻，optimos 3 60v采用superso8封裝具備最低2.8 mω的通態(tài)電阻，optimos 3 80v采用superso8封裝具備最低4.7 mω的通態(tài)電阻，與最接近的競爭性產品相比，通態(tài)電阻降幅高達50%，為業(yè)界樹立了新標桿。這些器件的fom（品質系數(shù)，以通態(tài)電阻乘以柵極電荷得出）與采用標準to封裝的同類產品相比高出25%，能夠更快速實現(xiàn)開關，同時最大程度降低開關損耗和柵極驅動損耗，提高功率密度，降低驅動器散熱量。superso8封裝寄生電感不到0.5nh，比to-220封裝的5-10nh電感低很多，這進一步提升了器件整體效率，最大程度上減少在開關條件下的振蕩現(xiàn)象。superso8封裝高度為1mm，rth-jt （結至頂端的熱阻）低于16°k/w，適用于嵌入式系統(tǒng)頂部冷卻解決方案或立式安裝在3d集成系統(tǒng)里的pcb模塊。

　　“作為全球功率半導體領域的技術領袖，英飛凌引領超小封裝潮流，使通態(tài)電阻降低高達50%�！庇w凌電源管理與驅動產品事業(yè)部負責人gerhard wolf指出，“我們利用在功率半導體制造和封裝方面的領先技術，使功率半導體具備一流的效率和開關特性、更高的功率密度以及出色的性價比，從而大大降低系統(tǒng)成本�！�

　　optimos 3 40v、60v、80v：應用與產品詳情

　　optimos 3 40v、60v和80v產品適用于需要高效率和功率密度的功率轉換和管理應用，包括眾多產品的smps（開關模式電源）、dc/dc轉換器和直流電機驅動器等。這些產品包括計算機、家用電器、小型電動車、工業(yè)自動化系統(tǒng)、電信設備和電動工具、電動剪草機和風扇等消費類電子設備。

　　采用superso8封裝的optimos 3可滿足多種應用中的快速開關smps和dc/dc轉換器的需求，譬如ac/dc smps中的同步整流器、隔離式dc/dc轉換器的主側開關和次側開關和非隔離（降壓）工業(yè)轉換器，對于這些應用而言，空間、功率密度和最大效率都是關鍵要素。該系列具備至pcb的1°k/w熱阻、頂部和雙側冷卻功能以及100a持續(xù)電流額定值，新的optimos 3 mosfet系列為40v至80v低電阻mosfet樹立了新標桿。該系列還包括業(yè)界首款采用s3o8封裝的60v和80v擊穿電壓mosfet，其占位空間與標準so8或superso8器件相比減少60%。

　　60v和80v superso8器件與采用to封裝的解決方案相比可使服務器smps的效率提高0.5%，或與標準解決方案相比，在通態(tài)電阻額定值提高20%的條件下，可獲得相同的效率。

　　供貨與定價

　　全新optimos 3 40v、60v與80v功率mosfet系列采用superso8和s3o8封裝，具有不同的通態(tài)電阻額定值。optimos 3 60v系列現(xiàn)已開始批量生產，40v和80v器件目前只提供樣品。

　　在訂購量達到萬件時，采用superso8封裝且通態(tài)電阻為2.8 mω的optimos 3 60v單價不超過0.99美元（0.64歐元），采用superso8封裝且通態(tài)電阻為4.7 mω的optimos 3 80v單價約為1.1美元（0.70歐元）。在同樣訂購量下，采用s308封裝的6.7 mω optimos 3 60v的單價為0.6美元（0.38歐元），而采用封裝的12.3 mω opti-mos 3 80v的單價為0.66美元（0.42歐元）。