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ADI增益高達(dá)1000的數(shù)字可設(shè)置增益儀表放大器

發(fā)布時(shí)間:2008/6/5 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):522

  ad8253數(shù)字可設(shè)置增益儀表放大器其增益可達(dá)1000,同時(shí)可提供市場(chǎng)上其它儀表放大器或分立解決方案無(wú)法相比的直流(dc)精度和交流(ac)帶寬特性,從而適合于數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ate)和生物醫(yī)學(xué)儀器,因?yàn)檫@些應(yīng)用要求在寬電壓范圍內(nèi)完成快速、精確測(cè)量和魯棒性信號(hào)調(diào)理。高增益設(shè)置允許放大小信號(hào)(例如來(lái)自傳感器的小信號(hào))以驅(qū)動(dòng)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(adc)。

  ad8253具有數(shù)字可設(shè)置增益功能,其增益可設(shè)置為1、10、100和1,000,從而允許用戶即使在ad8253用于系統(tǒng)之后也可以調(diào)整增益。它采用±5~±15v電源供電,可達(dá)到10mhz帶寬和達(dá)到0.01%建立時(shí)間為0.5μs。其1.2μv/°c的輸入失調(diào)漂移和10ppm/°c的增益漂移在所有增益可設(shè)置儀表放大器中是最低的。ad8253采用adi公司的icmostm工業(yè)cmos工藝制造,從而使其靜態(tài)電流僅為4ma并且采用10引腳小外形塑料封裝(msop)。

  ad8253是adi公司的數(shù)字可設(shè)置增益儀表放大器系列的最新產(chǎn)品,擴(kuò)展了ad8250和ad8251。此外,ad8253非常適合與高性能adc匹配工作,例如adi公司的ad7621、ad7671、ad7674、ad7677、ad7678、ad7679、ad7685、ad7612和ad7946以及ad7947 pulsar高分辨率sar型adc;ad8253也適合與adi公司的adr431和adr435參考電壓源匹配工作。

  ad8253采用10引腳msop封裝,目前可提供樣片,并將于2007年10月大批量生產(chǎn)。它可在-40~+85°c溫度范圍內(nèi)達(dá)到規(guī)定的技術(shù)指標(biāo),從而成為適合于將尺寸和封裝密度作為重要考慮的優(yōu)良解決方案。ad8253千片訂量報(bào)價(jià)為4.95美元/片。

  icmos工藝是adi公司建立的一種將高壓半導(dǎo)體工藝與亞微米cmos(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合的模塊制造工藝。它能開(kāi)發(fā)出能承受30v電源電壓的多種高性能模擬ic,并且其小封裝尺寸是任何其它同類高電壓ic都未曾達(dá)到的。與使用傳統(tǒng)cmos工藝的模擬ic不同,icmos器件能承受高電源電壓,同時(shí)提高性能、顯著降低功耗和縮小封裝尺寸。



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  ad8253具有數(shù)字可設(shè)置增益功能,其增益可設(shè)置為1、10、100和1,000,從而允許用戶即使在ad8253用于系統(tǒng)之后也可以調(diào)整增益。它采用±5~±15v電源供電,可達(dá)到10mhz帶寬和達(dá)到0.01%建立時(shí)間為0.5μs。其1.2μv/°c的輸入失調(diào)漂移和10ppm/°c的增益漂移在所有增益可設(shè)置儀表放大器中是最低的。ad8253采用adi公司的icmostm工業(yè)cmos工藝制造,從而使其靜態(tài)電流僅為4ma并且采用10引腳小外形塑料封裝(msop)。

  ad8253是adi公司的數(shù)字可設(shè)置增益儀表放大器系列的最新產(chǎn)品,擴(kuò)展了ad8250和ad8251。此外,ad8253非常適合與高性能adc匹配工作,例如adi公司的ad7621、ad7671、ad7674、ad7677、ad7678、ad7679、ad7685、ad7612和ad7946以及ad7947 pulsar高分辨率sar型adc;ad8253也適合與adi公司的adr431和adr435參考電壓源匹配工作。

  ad8253采用10引腳msop封裝,目前可提供樣片,并將于2007年10月大批量生產(chǎn)。它可在-40~+85°c溫度范圍內(nèi)達(dá)到規(guī)定的技術(shù)指標(biāo),從而成為適合于將尺寸和封裝密度作為重要考慮的優(yōu)良解決方案。ad8253千片訂量報(bào)價(jià)為4.95美元/片。

  icmos工藝是adi公司建立的一種將高壓半導(dǎo)體工藝與亞微米cmos(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合的模塊制造工藝。它能開(kāi)發(fā)出能承受30v電源電壓的多種高性能模擬ic,并且其小封裝尺寸是任何其它同類高電壓ic都未曾達(dá)到的。與使用傳統(tǒng)cmos工藝的模擬ic不同,icmos器件能承受高電源電壓,同時(shí)提高性能、顯著降低功耗和縮小封裝尺寸。



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