vishay推出新型 20v p 通道 trenchfet 功率 mosfet --- vishay siliconix si8445db，該器件采用 micro foot 芯片級封裝，具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 v 時業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。

　　隨著便攜式電子設(shè)備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設(shè)備的更長運行時間的期望，設(shè)計人員需要具有低功耗的更小 mosfet 封裝---這恰恰是新型 vishay siliconix si8445db 所具有的特點。

　　憑借 1.2mm×1.0mm 的超小占位面積，si8445db 比業(yè)界大小僅次于它的器件小20%，同時具有 0.59mm 的相同超薄厚度。si8445db 具有 1.2v vgs 時 0.495?～4.5v vgs 時 0.084 ?的低導(dǎo)通電阻范圍。1.2 v 時的低導(dǎo)通電阻額定值降低了對電平位移電路的需求，從而節(jié)約了便攜式電子設(shè)計中的空間及功率。

　　該新器件的典型應(yīng)用將包括手機、pda、數(shù)碼相機、mp3 播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的低閾值負載開關(guān)、充電器開關(guān)及電池管理。

　　目前，該新型 micro foot 芯片級功率 mosfet 的樣品與量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 10～12 周。