意法半導(dǎo)體發(fā)表1MHz雙線串行總線EEPROM存儲器芯片
發(fā)布時間:2008/8/12 0:00:00 訪問次數(shù):493
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節(jié)寫入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁的寫入模式、隨機(jī)寫入模式、順序?qū)懭肽J、自動遞增尋址。除簡化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計外,這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問題。新產(chǎn)品提供一個寫控制輸入引腳,同時,三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用,三款新產(chǎn)品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進(jìn)的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡,兼有1mhz的讀寫速度、競爭力的價格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費電子產(chǎn)品中(如數(shù)字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環(huán)保技術(shù),這項技術(shù)符合全球的綠色封裝標(biāo)準(zhǔn),包括歐盟的有害物質(zhì)限用(rohs)法規(guī)。
新產(chǎn)品還具有很好的耐用性,標(biāo)稱擦寫循環(huán)100萬次,數(shù)據(jù)保存期限40年以上。
so-8封裝的256-kbit、512-kbit和1-mbit樣片、tssop封裝的256-kbit和512-kbit樣片現(xiàn)已上市。
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節(jié)寫入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁的寫入模式、隨機(jī)寫入模式、順序?qū)懭肽J、自動遞增尋址。除簡化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計外,這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問題。新產(chǎn)品提供一個寫控制輸入引腳,同時,三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用,三款新產(chǎn)品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進(jìn)的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡,兼有1mhz的讀寫速度、競爭力的價格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費電子產(chǎn)品中(如數(shù)字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環(huán)保技術(shù),這項技術(shù)符合全球的綠色封裝標(biāo)準(zhǔn),包括歐盟的有害物質(zhì)限用(rohs)法規(guī)。
新產(chǎn)品還具有很好的耐用性,標(biāo)稱擦寫循環(huán)100萬次,數(shù)據(jù)保存期限40年以上。
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