TI推出1.6-MHz、3A DC/DC 轉(zhuǎn)換器TPS54377
發(fā)布時(shí)間:2008/8/12 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):477
特性:
60-mω mosfet 開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn) 3a 不間斷輸出電流下的高效率
1% 精度低至 0.9 v 的可調(diào)輸出電壓
開(kāi)關(guān)頻率:在 280 khz~1600 khz 范圍內(nèi)可調(diào)
起動(dòng)失效電流吸收
快速的瞬態(tài)響應(yīng)
受峰值電流限制與熱關(guān)斷功能保護(hù)的負(fù)載
高度集成的解決方案縮小了電路板占地面積并降低了總體成本
采用節(jié)省空間的 4mm x 5mm qfn 封裝
應(yīng)用范圍:
5 v 或 3.3 v 電源分布的低壓、高密度系統(tǒng)
高性能 dsp、fpga、asic 以及微控處理器的負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)
寬帶、網(wǎng)絡(luò)以及光纖通信基礎(chǔ)設(shè)施
特性:
60-mω mosfet 開(kāi)關(guān)以實(shí)現(xiàn) 3a 不間斷輸出電流下的高效率
1% 精度低至 0.9 v 的可調(diào)輸出電壓
開(kāi)關(guān)頻率:在 280 khz~1600 khz 范圍內(nèi)可調(diào)
起動(dòng)失效電流吸收
快速的瞬態(tài)響應(yīng)
受峰值電流限制與熱關(guān)斷功能保護(hù)的負(fù)載
高度集成的解決方案縮小了電路板占地面積并降低了總體成本
采用節(jié)省空間的 4mm x 5mm qfn 封裝
應(yīng)用范圍:
5 v 或 3.3 v 電源分布的低壓、高密度系統(tǒng)
高性能 dsp、fpga、asic 以及微控處理器的負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)
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