國內(nèi)功率半導體器件、芯片和模塊供應商無錫創(chuàng)立達科技有限公司近日宣布推出新一代微觸發(fā)單向可控硅tse2p4m和tse0405。這代產(chǎn)品采用全新的設計方法和工藝技術(shù)，大大改善了其開關性能和溫度特性。經(jīng)國內(nèi)主要摩托車電器裝備廠家使用實踐證明，該產(chǎn)品能夠克服上一代產(chǎn)品中存在的觸發(fā)電流不易控制、溫度特性差和開關速度低等弱點，有效提高點火器的點火能量及可靠性，其電性能已經(jīng)達到了國外同類產(chǎn)品的水平。2008年8月22日，公司將在重慶舉辦“2008摩托車電子應用技術(shù)創(chuàng)新研討會”，屆時該產(chǎn)品將在會上發(fā)布及展示。

　　在定義和設計新版tse2p4m和tse0405時，創(chuàng)立達科技對國內(nèi)外摩托車車用電子技術(shù)趨勢和摩托車用電器裝備制造廠商的相關芯片需求進行了深入而廣泛的調(diào)查。針對未來技術(shù)趨勢及多數(shù)整機廠和電裝廠的共性需求，制訂了新版tse2p4m和tse0405的三個核心設計和開發(fā)方針，即首先通過自主創(chuàng)新的技術(shù)，開發(fā)使電裝廠商能夠為整機廠商今后幾年的技術(shù)升級提供可持續(xù)支持的產(chǎn)品；第二，針對目前的主流應用實現(xiàn)標準化和兼容性，讓電裝廠商能夠快速通過整車廠復雜的認證并導入生產(chǎn)；第三，提供與國際同行相當、甚至更高的性能。

　　新版tse2p4m和tse0405是利用短基區(qū)擴散層的次表面層形成g-k間較大的橫向擴散電阻rgk，當可控硅的門極和陰極間加電流ig時，在rgk上產(chǎn)生一個電壓降vr，只有當vr≥p-n結(jié)的門坎電壓vr時，可控硅才會觸發(fā)。這項新技術(shù)的實現(xiàn)，克服了目前市場上的微觸發(fā)單向可控硅溫度特性差、igt離散性大、開關速度低、vtm大的弱點，有效提升性能，滿足了客戶的需求。