ST推出1MHz雙線串行總線EEPROM存儲(chǔ)器芯片
發(fā)布時(shí)間:2008/8/14 0:00:00 訪問(wèn)次數(shù):405
意法半導(dǎo)體(st)推出1mhz雙線串行總線eeprom存儲(chǔ)器芯片,存儲(chǔ)密度分別為256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,數(shù)據(jù)速率可達(dá)i2c fast-mode 的2.5倍。工作頻率為1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的數(shù)據(jù)處理只需1秒鐘;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成數(shù)據(jù)處理只需半秒鐘。
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節(jié)寫(xiě)入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁(yè)的寫(xiě)入模式、隨機(jī)寫(xiě)入模式、順序?qū)懭肽J、自?dòng)遞增尋址。除簡(jiǎn)化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計(jì)外,這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問(wèn)題。新產(chǎn)品提供一個(gè)寫(xiě)控制輸入引腳,同時(shí),三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個(gè)設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用,三款新產(chǎn)品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進(jìn)的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡,兼有1mhz的讀寫(xiě)速度、競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費(fèi)電子產(chǎn)品中(如數(shù)字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環(huán)保技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)符合全球的綠色封裝標(biāo)準(zhǔn),包括歐盟的有害物質(zhì)限用(rohs)法規(guī)。
新產(chǎn)品還具有很好的耐用性,標(biāo)稱擦寫(xiě)循環(huán)100萬(wàn)次,數(shù)據(jù)保存期限40年以上。
so-8封裝的256-kbit、512-kbit和1-mbit樣片、tssop封裝的256-kbit和512-kbit樣片現(xiàn)已上市。
意法半導(dǎo)體(st)推出1mhz雙線串行總線eeprom存儲(chǔ)器芯片,存儲(chǔ)密度分別為256-kbit、512-kbit和1-mbit,兼容i2c fast-mode-puls模式,數(shù)據(jù)速率可達(dá)i2c fast-mode 的2.5倍。工作頻率為1mhz,m24m01-hr完成1-mbit的數(shù)據(jù)處理只需1秒鐘;256-kbit的m24256-bhr只需四分之一秒;512-kbit的m24512-hr完成數(shù)據(jù)處理只需半秒鐘。
這些新的雙線串行總線eeprom支持多種訪存模式,包括按字節(jié)寫(xiě)入模式以及按64字節(jié)、128字節(jié) 和 256字節(jié)頁(yè)的寫(xiě)入模式、隨機(jī)寫(xiě)入模式、順序?qū)懭肽J、自?dòng)遞增尋址。除簡(jiǎn)化芯片在目標(biāo)應(yīng)用中的設(shè)計(jì)外,這些尋址模式還有助于工程師改進(jìn)系統(tǒng)性能和功耗問(wèn)題。新產(chǎn)品提供一個(gè)寫(xiě)控制輸入引腳,同時(shí),三支引腳讓一條總線上可連接多達(dá)8個(gè)設(shè)備。為方便在低壓或標(biāo)準(zhǔn)電壓系統(tǒng)中采用,三款新產(chǎn)品都有不同版本,工作電壓從 1.8v到5.5v或2.5v到5.5v。
st先進(jìn)的制造工藝讓新產(chǎn)性能非凡,兼有1mhz的讀寫(xiě)速度、競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格和三款微型表面貼裝,tssop8和3.8mm寬(150 mils)的so-8封裝,厚度分別為1.2mm 和1.75mm,可用于纖薄的消費(fèi)電子產(chǎn)品中(如數(shù)字電視)。所有封裝均使用st的ecopack環(huán)保技術(shù),這項(xiàng)技術(shù)符合全球的綠色封裝標(biāo)準(zhǔn),包括歐盟的有害物質(zhì)限用(rohs)法規(guī)。
新產(chǎn)品還具有很好的耐用性,標(biāo)稱擦寫(xiě)循環(huán)100萬(wàn)次,數(shù)據(jù)保存期限40年以上。
so-8封裝的256-kbit、512-kbit和1-mbit樣片、tssop封裝的256-kbit和512-kbit樣片現(xiàn)已上市。
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