不斷擴(kuò)大的多口ram系列又添兩個(gè)新型雙口ram器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9mb 和 4mb 雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200mhz 的性能，以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8v 內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。

　　雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯，可以通過獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。該idt 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題，增加帶寬并降低設(shè)計(jì)復(fù)雜性，同時(shí)通過使用經(jīng)過驗(yàn)證的成熟器件，實(shí)現(xiàn)快速上市。

　　idt 公司流量控制管理部門市場總監(jiān) carl may 表示：“idt一直積極尋找改善我們現(xiàn)有產(chǎn)品的方法，為我們的客戶提供不斷進(jìn)化的升級(jí)，在其未來的設(shè)計(jì)顧慮變成問題之前，幫助他們排除這些顧慮。這些新器件為我們的客戶提供了性能和功耗上的顯著改善�！�

性能和優(yōu)勢

　　新的 9mb idt 70p3519 和 4mb 70p3599 是高速 256k/128k x 36 位同步雙端口器件。兩款器件可提供完整的同步功能，有助于 idt 的客戶優(yōu)化其設(shè)計(jì)，獲得更高的性能和更低的功耗。此外，這兩款器件還有助于客戶同時(shí)存取單個(gè)存儲(chǔ)器地址，而無需外部器件。同步功能包括計(jì)數(shù)器、多個(gè)獨(dú)立的芯片使能和字節(jié)使能（byte enable）及同步中斷。此外，控制寄存器、數(shù)據(jù)和地址輸入可實(shí)現(xiàn)最短的設(shè)置和保持時(shí)間，以便使產(chǎn)品更快上市。通過采用輸入數(shù)據(jù)寄存器，這兩款雙端口器件為具有單向或雙向數(shù)據(jù)流突發(fā)的應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。一個(gè)由 ce0 和 ce1 芯片使能引腳控制的自動(dòng)掉電特性，可允許每個(gè)端口的片上電路進(jìn)入一種非常低待機(jī)功耗的模式。

　　70p3519 和 70p3599 能夠支持一個(gè)或兩個(gè)端口上3.3v、2.5v 或 1.8v 的 i/o 電壓。這兩款器件的內(nèi)核電源（vdd）為 1.8v。

封裝和供貨

　　為了方便 idt 客戶采用，idt 70p3519 和 70p3599 均采用與現(xiàn)有 idt 雙端口解決方案一樣的封裝：256 引腳球柵陣列（bga）、208 引腳塑料方形扁平（pqfp）和 208 引腳細(xì)間距球柵陣列（fpbga）。

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