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D類音頻前置運算放大器的噪聲分析與設(shè)計

發(fā)布時間:2008/8/19 0:00:00 訪問次數(shù):517

  d類音頻功率放大器中,前置運算放大器是一個比較重要的模塊,它位于整個拓撲結(jié)構(gòu)中的前面,完成輸入信號源的加工處理,或者實現(xiàn)放大增益的設(shè)置,或者實現(xiàn)阻抗變換的目的,使其和后面功率放大級的輸入靈敏度相匹配;前置放大器獲得并穩(wěn)定輸入音頻信號,并確保差動信號,設(shè)計時需要盡量減小其等效輸入的閃爍噪聲及熱噪聲,降低輸出電阻,增加其psrr、cmrr、snr、頻帶寬度、轉(zhuǎn)換效率等參數(shù)。

  一般來說,雙極晶體管的閃爍噪聲具有較低的轉(zhuǎn)角頻率(閃爍噪聲和熱噪聲的交叉點),低于mos晶體管的閃爍噪聲,在音頻等低頻的設(shè)計系統(tǒng)中,應(yīng)用雙極晶體管的設(shè)計有利于降低噪聲,然而在混合信號電路的設(shè)計中,襯底噪聲對雙極晶體管就有很大的影響,所以在混合信號電路設(shè)計中,更多的使用mos晶體管,因此這里提到的運放就采用cmos工藝完成了相應(yīng)的設(shè)計。

1 音頻功放中前置運算放大器的功能

  d類音頻功率放大器主要由以下幾個模塊組成:前置運算放大器、調(diào)制級、偏置、控制級、驅(qū)動級及輸出功率管級(btl);前置運算放大器位于整個結(jié)構(gòu)的最初端,本設(shè)計中,要求前置運放有正常工作模式(play)及噪聲抑制工作模式(mute)兩種工作模式,在正常工作模式下,運放接收信號源,正常工作,后面各級完成相應(yīng)調(diào)制及信號的再生;在噪聲抑制工作模式下,運放停止接收輸入信號源,差分輸出端各被鉗制在固定的電壓下,其它模塊正常工作,btl輸出端為相同的輸出方波,在負載上,看不到信號的再生重現(xiàn),此時處于靜音狀態(tài),使用靜噪狀態(tài)的主要作用是抑制開關(guān)機時候的爆裂(pop)噪聲!

2 前置運算放大器的噪聲特性

  運算放大器電路中存在5種噪聲源:散粒噪聲(shot noise)、熱噪聲(thermal noise)、閃爍噪聲(flicker noise)、爆裂噪聲(burst noise)、雪崩噪聲(avalanche noise),對于cmos工藝,散粒噪聲、爆裂噪聲和雪崩噪聲在運算放大器電路中通常沒有太大影響,即使有,也能夠消除,在噪聲分析中可以不予考慮。

2.1 噪聲模型

  電阻的噪聲主要是熱噪聲。該噪聲可以等效為一個理想的無噪聲電阻串連一個電壓源,或并聯(lián)一個電流源作為它的噪聲模型,其等效的噪聲電流及電壓分別為:

  運算放大器制造商提供的噪聲指標(biāo),通常是指在運算放大器輸入端測試的噪聲,包括熱噪聲及閃爍噪聲。而運算放大器內(nèi)部的噪聲通過內(nèi)部等效來描述,運算放大器內(nèi)部可視為一個理想的無噪聲運算放大器(noisless opamp),通過在理想無噪聲運算放大器的同相輸入端串聯(lián)一個噪聲電壓源,同相、反相輸人端到地分別串聯(lián)一個噪聲電流源,來表征內(nèi)部噪聲,對于單管nmos或者pmos,它們的等效噪聲電流及噪聲電壓分別為:

  上面各式及下面提到的公式中,k為boltzmann常數(shù),t是熱力學(xué)溫度,gm為晶體管的跨導(dǎo)。k是mos晶體管閃爍噪聲系數(shù),w,l分別為mos晶體管的有效柵寬度和長度,cox是單位面積的柵氧化層電容。

2.2 前置運算放大器的噪聲分析

  音頻功率放大器中的前置運放,其噪聲模型可以如圖4所示,r1、r2是輸入電阻,r3、r4是反饋電阻,r3和r4為可調(diào)電阻,用于設(shè)置其整個功放的增益,e1、e2、e3、e4分別為4個電阻的熱噪聲電壓,4個電阻對輸入的噪聲影響電壓分別為:

  

  其前置運算放大器的噪聲為電阻噪聲與其運放內(nèi)部噪聲的總和,下面就分析運放內(nèi)部噪聲! 

2.3 全差分運放的內(nèi)部噪聲分析

  我們知道,噪聲設(shè)計的關(guān)鍵是輸入級的低噪聲設(shè)計,因此在大多數(shù)運放設(shè)計的時候,第一級的關(guān)鍵不是增益的設(shè)計,因為這一級的噪聲大小直接決定了整個運放的噪聲特性。pmos管比nmos管的噪聲系數(shù)低,利于減小其輸入噪聲電壓,因此輸入級常采用:pmos管差分輸入結(jié)構(gòu)。圖5就是運放輸入級的噪聲分析圖,輸入管為pmos! 

  差分管的源極接到同一點上,那么電流源負載的噪聲就是相關(guān)噪聲源,其等效到mp1和mp2上的噪聲由于差動的作用就可以相互抵消,從而減小了電路的噪聲。mp1、mp2為輸入差分對管。另外,對于mn3管,噪聲電壓對輸入的影響也可以忽略! 

  

3 電路設(shè)計及物理層設(shè)計

  由以上噪聲特性的分析可以看出,要改善運算放大器的噪聲需要選擇合適的電阻及合適的mos管的柵寬長比,本文應(yīng)用winbond 0.5μ cmos典型工藝,對運放噪聲進行了分析! 

  輸入管及負載管l越大,噪聲特性越好,但由于版圖及穩(wěn)定性的要求,不可能使用過大的l值;通過同樣的仿真,對輸入的寬長比,我們也可以得到類似的結(jié)論;因此,本文的運放選擇合適的電阻及輸入級和負載管的寬長比,完成了很好的設(shè)計! 

  運放采用低靜態(tài)電流設(shè)計,實現(xiàn)較低的噪盧特性、較高的電源抑制比,及較快的轉(zhuǎn)換速率等!

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  d類音頻功率放大器中,前置運算放大器是一個比較重要的模塊,它位于整個拓撲結(jié)構(gòu)中的前面,完成輸入信號源的加工處理,或者實現(xiàn)放大增益的設(shè)置,或者實現(xiàn)阻抗變換的目的,使其和后面功率放大級的輸入靈敏度相匹配;前置放大器獲得并穩(wěn)定輸入音頻信號,并確保差動信號,設(shè)計時需要盡量減小其等效輸入的閃爍噪聲及熱噪聲,降低輸出電阻,增加其psrr、cmrr、snr、頻帶寬度、轉(zhuǎn)換效率等參數(shù)。

  一般來說,雙極晶體管的閃爍噪聲具有較低的轉(zhuǎn)角頻率(閃爍噪聲和熱噪聲的交叉點),低于mos晶體管的閃爍噪聲,在音頻等低頻的設(shè)計系統(tǒng)中,應(yīng)用雙極晶體管的設(shè)計有利于降低噪聲,然而在混合信號電路的設(shè)計中,襯底噪聲對雙極晶體管就有很大的影響,所以在混合信號電路設(shè)計中,更多的使用mos晶體管,因此這里提到的運放就采用cmos工藝完成了相應(yīng)的設(shè)計。

1 音頻功放中前置運算放大器的功能

  d類音頻功率放大器主要由以下幾個模塊組成:前置運算放大器、調(diào)制級、偏置、控制級、驅(qū)動級及輸出功率管級(btl);前置運算放大器位于整個結(jié)構(gòu)的最初端,本設(shè)計中,要求前置運放有正常工作模式(play)及噪聲抑制工作模式(mute)兩種工作模式,在正常工作模式下,運放接收信號源,正常工作,后面各級完成相應(yīng)調(diào)制及信號的再生;在噪聲抑制工作模式下,運放停止接收輸入信號源,差分輸出端各被鉗制在固定的電壓下,其它模塊正常工作,btl輸出端為相同的輸出方波,在負載上,看不到信號的再生重現(xiàn),此時處于靜音狀態(tài),使用靜噪狀態(tài)的主要作用是抑制開關(guān)機時候的爆裂(pop)噪聲!

2 前置運算放大器的噪聲特性

  運算放大器電路中存在5種噪聲源:散粒噪聲(shot noise)、熱噪聲(thermal noise)、閃爍噪聲(flicker noise)、爆裂噪聲(burst noise)、雪崩噪聲(avalanche noise),對于cmos工藝,散粒噪聲、爆裂噪聲和雪崩噪聲在運算放大器電路中通常沒有太大影響,即使有,也能夠消除,在噪聲分析中可以不予考慮。

2.1 噪聲模型

  電阻的噪聲主要是熱噪聲。該噪聲可以等效為一個理想的無噪聲電阻串連一個電壓源,或并聯(lián)一個電流源作為它的噪聲模型,其等效的噪聲電流及電壓分別為:

  運算放大器制造商提供的噪聲指標(biāo),通常是指在運算放大器輸入端測試的噪聲,包括熱噪聲及閃爍噪聲。而運算放大器內(nèi)部的噪聲通過內(nèi)部等效來描述,運算放大器內(nèi)部可視為一個理想的無噪聲運算放大器(noisless opamp),通過在理想無噪聲運算放大器的同相輸入端串聯(lián)一個噪聲電壓源,同相、反相輸人端到地分別串聯(lián)一個噪聲電流源,來表征內(nèi)部噪聲,對于單管nmos或者pmos,它們的等效噪聲電流及噪聲電壓分別為:

  上面各式及下面提到的公式中,k為boltzmann常數(shù),t是熱力學(xué)溫度,gm為晶體管的跨導(dǎo)。k是mos晶體管閃爍噪聲系數(shù),w,l分別為mos晶體管的有效柵寬度和長度,cox是單位面積的柵氧化層電容。

2.2 前置運算放大器的噪聲分析

  音頻功率放大器中的前置運放,其噪聲模型可以如圖4所示,r1、r2是輸入電阻,r3、r4是反饋電阻,r3和r4為可調(diào)電阻,用于設(shè)置其整個功放的增益,e1、e2、e3、e4分別為4個電阻的熱噪聲電壓,4個電阻對輸入的噪聲影響電壓分別為:

  

  其前置運算放大器的噪聲為電阻噪聲與其運放內(nèi)部噪聲的總和,下面就分析運放內(nèi)部噪聲。  

2.3 全差分運放的內(nèi)部噪聲分析

  我們知道,噪聲設(shè)計的關(guān)鍵是輸入級的低噪聲設(shè)計,因此在大多數(shù)運放設(shè)計的時候,第一級的關(guān)鍵不是增益的設(shè)計,因為這一級的噪聲大小直接決定了整個運放的噪聲特性。pmos管比nmos管的噪聲系數(shù)低,利于減小其輸入噪聲電壓,因此輸入級常采用:pmos管差分輸入結(jié)構(gòu)。圖5就是運放輸入級的噪聲分析圖,輸入管為pmos! 

  差分管的源極接到同一點上,那么電流源負載的噪聲就是相關(guān)噪聲源,其等效到mp1和mp2上的噪聲由于差動的作用就可以相互抵消,從而減小了電路的噪聲。mp1、mp2為輸入差分對管。另外,對于mn3管,噪聲電壓對輸入的影響也可以忽略! 

  

3 電路設(shè)計及物理層設(shè)計

  由以上噪聲特性的分析可以看出,要改善運算放大器的噪聲需要選擇合適的電阻及合適的mos管的柵寬長比,本文應(yīng)用winbond 0.5μ cmos典型工藝,對運放噪聲進行了分析! 

  輸入管及負載管l越大,噪聲特性越好,但由于版圖及穩(wěn)定性的要求,不可能使用過大的l值;通過同樣的仿真,對輸入的寬長比,我們也可以得到類似的結(jié)論;因此,本文的運放選擇合適的電阻及輸入級和負載管的寬長比,完成了很好的設(shè)計。  

  運放采用低靜態(tài)電流設(shè)計,實現(xiàn)較低的噪盧特性、較高的電源抑制比,及較快的轉(zhuǎn)換速率等!

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