賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出 2 mbit 和 8 mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（nvsram），進(jìn)一步豐富了公司旗下從 16 kbit 到 8 mbit 的nvsram 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調(diào)用循環(huán)，而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvsram 為需要持續(xù)高速寫入數(shù)據(jù)和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用提供了解決方案，因此成為了服務(wù)器、raid 應(yīng)用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的理想選擇。

　　cy14b102 2 mbit nvsram 與 cy14b108 8 mbit nvsram 均符合 rohs 指令，可直接取代sram、電池供電的 sram、eprom 及 eeprom 器件，毋需安裝電池就能確�？煽康姆且资詳�(shù)據(jù)存儲。斷電時，數(shù)據(jù)可自動從 sram 傳輸?shù)?nvsram 器件的非易失性存儲單元。通電時，數(shù)據(jù)則能從非易失性存儲器恢復(fù)到 sram 中。上述兩種操作都能通過軟件控制實(shí)現(xiàn)。新型 nvsram采用賽普拉斯的 s8™ 0.13 微米硅氧化氮氧化硅 (sonos) 嵌入式非易失性存儲器工藝制造而成，具有更高的密度、更短的存取時間以及高出色的性能。

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品部的副總裁 robert dunnigan 指出：“隨著 2 mbit和8 mbit nvsram 的推出，賽普拉斯擁有了市場上最全面、最豐富的存儲器產(chǎn)品系列，該產(chǎn)品系列分銷渠道非常廣泛并得到了最佳支持。nvsram 為客戶提供了業(yè)界最佳的高速非易失性存儲器解決方案，這些高密度產(chǎn)品能在新型應(yīng)用中充分發(fā)揮其優(yōu)勢。”

　　2 mbit 和 8 mbit 的nvsram 支持實(shí)時時鐘特性，既能實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低的待機(jī)振蕩器電流，又能確保集成存儲器的最高性能，從而在非易失性存儲器的支持下可實(shí)現(xiàn)事件時間戳功能。

　　nvsram 是業(yè)界最佳的高速非易失性存儲器解決方案，相對于電池供電的 sram 而言，其板級空間更少、設(shè)計(jì)復(fù)雜性更低，而且比磁性隨機(jī)存儲器 (mram) 或鐵電存儲器 (fram) 更加經(jīng)濟(jì)可靠。2 mbit 和 8 mbit 的nvsram是賽普拉斯nvsram 產(chǎn)品系列中的最新成員，該系列旗下目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的其它產(chǎn)品還包括16 kbit、64 kbit、256 kbit、1 mbit和4 mbit的器件。

　　作為 sonos 工藝技術(shù)的領(lǐng)先公司，賽普拉斯將在新一代 psoc® 混合信號陣列、ovationons™ 激光導(dǎo)航傳感器、可編程時鐘及其它產(chǎn)品中采用 s8 技術(shù)。sonos 與標(biāo)準(zhǔn) cmos工藝高度兼容且具有高耐用性、低功耗和抗輻射加固等眾多優(yōu)勢。此外，sonos 相對于其它嵌入式非易失性存儲器技術(shù)而言，也是一款更穩(wěn)健、更易于制造、更低成本的解決方案。

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