普通crt彩電所用的開關(guān)電源大都屬于反激式開關(guān)電源。反激式開關(guān)電源的最重要的特征體現(xiàn)在變壓器的繞制和有關(guān)開關(guān)器件的連接方法上，即變壓器的原邊和副邊不可能同時導(dǎo)通。fscq1265rt就是反激式開關(guān)電源。

　　fscq1265rt簡介

　　fscq1265rt采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換（qrc）方式，內(nèi)置高壓（vdss=650v）sensefet，pwm控制器和軟起動電路，具有過載、過壓、短路、過溫、欠壓保護功能。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，管腳定義則見表1。

　　參數(shù)定義及電路描述

　　1 整機參數(shù)定義

　　fscq1265rt適用于大屏幕crt彩電，寬電源交流輸入電壓為85～265vrms，最大輸出功率p0=140w，最大峰值電流ip-p=7a；效率為80%～83%；對于上述輸出功率，整流后選用330～470μf/ 400v的電容。

　　2 mosfet工作電壓vds及共振電路

　　電壓為vdsnom=vdcmax+vro。開關(guān)mosfet的耐壓被用來決定反激電壓vro的值，在其不變的前提下，反激電壓設(shè)置得越高越好。需要說的是，反激電壓是由開關(guān)變壓器的原、副邊匝數(shù)比和輸出電壓來決定的，它是一個不隨輸入電壓變化的量。

　　例如，該開關(guān)mosfet的耐壓為650v，則vdsnom電壓不要超過開關(guān)mosfet耐壓的75%～85%。選擇vro=125v，則在vlinemax=265vac時，vdsnom=500v，留150v的余量給漏感電壓。在應(yīng)用中可視電路情況增加消尖峰吸收電路。

　　在mosfet關(guān)斷時，vds的上升沿是產(chǎn)生開關(guān)電源噪聲的主要原因。可在mosfet的漏-源極之間并聯(lián)一個共振電容來降低vds的上升斜率，以期降低噪聲。此共振電容的增加也降低了mosfet 在關(guān)斷時發(fā)生的開關(guān)損耗。因此，漏-源極間的共振電容在mosfet的關(guān)斷時起了降低噪聲和開關(guān)損耗兩個作用。

　　在mosfet的關(guān)斷期間，共振電容會被充電至vdc+vro。而在mosfet導(dǎo)通之前，共振電容將和變壓器的原邊電感發(fā)生共振，vds將從起始的電壓vdc+vro，經(jīng)半個共振周期后降為vdc-vro。準(zhǔn)諧振電源利用控制器控制mosfet在vds的最低點導(dǎo)通，此時的導(dǎo)通損耗達到最小。共振電容的選擇非常重要，不合適的共振電容在mosfet導(dǎo)通時的放電將導(dǎo)致很大的mosfet導(dǎo)通損耗，使散熱器溫度急劇增高。

　　3 起動電阻和輔助電源vcc

　　開機啟動電阻在開機瞬間提供給控制電路電源電壓，保證控制電路能正常工作。當(dāng)vcc腳電壓升到15v時，電源芯片fscq1265的內(nèi)部控制電路開始工作，芯片內(nèi)的mosfet開始了正常的導(dǎo)通和截止。

　　在正常負(fù)載時，vcc的工作電壓設(shè)定為18v。當(dāng)vcc腳的電壓降低至9v時，芯片內(nèi)部電路和mosfet停止工作。

　　4 同步電路

　　同步電壓vsync取自變壓器輔組繞組，它和漏極電壓對應(yīng)關(guān)系如圖3所示。其中，同步電壓vsyncpk典型值設(shè)置為8～10v，它要小于ovp（12v）電壓3～4v，超過12v就會產(chǎn)生過壓保護。

　　fscq1265rt采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換工作方式，電源的頻率是隨著輸入電壓和負(fù)載的變化而改變的。負(fù)載變輕時，開關(guān)頻率升高。當(dāng)升到90khz時，控制電路會使mosfet在第二個同步谷點導(dǎo)通（見圖4），這樣會使振蕩頻率又降了下來，限制電源在輕負(fù)載時振蕩頻率的上升。在負(fù)載加重時，開關(guān)頻率降低，當(dāng)降低到45khz時間，進入準(zhǔn)諧振工作狀態(tài)，mosfet在第一個谷點(vdc-vro)導(dǎo)通。

　　5 反饋控制電路

　　fscq1265rt采用電流方式控制，反饋電路保證b+穩(wěn)定輸出。其內(nèi)置前沿消隱電路(leb)，防止pwm控制器誤工作。

　　正常工作時，當(dāng)由于某種原因造成b＋電壓升高后，通過電阻分壓到r極的電壓也升高。r極電壓的升高引起c極電流的增大，即光耦次級（1、2腳）電流增大。這樣，誤差取樣放大電路將b＋電壓的變化轉(zhuǎn)變?yōu)楣怦铍娏鞯淖兓�。因此，光耦初級�?、4腳）的電流增大，電源芯片fb腳電壓降低。芯片內(nèi)部與之對應(yīng)的比較器上的電壓降低，比較器另一個腳接到mosfet的另一個源極取樣電阻rsense上。因此，當(dāng)fb腳電壓降低即意味著開關(guān)管漏極電流的降低，即開關(guān)管提前截止，從而使得b＋電壓降低，反之亦然。

　　開關(guān)變壓器設(shè)計參數(shù)

　　fscq1265rt主要用于crt彩電的開關(guān)變壓器中，現(xiàn)將應(yīng)用

　　設(shè)計中一些參數(shù)做一簡要介紹。

　　1 材料

　　磁心：tdk pc44、ec43

　　骨架：電木，ec43立式

　　絕緣：class b

　　2 工法要求

　　每一層繞制時要求緊密，無交叉，并且布滿整個窗口，以加強耦合。磁芯中柱研磨得出氣隙。初次側(cè)間加三層絕緣膠帶，同一次側(cè)間不同繞組間加一層絕緣膠帶。影響供電繞組在最內(nèi)層，防止對b＋造成干擾。

　　3 繞組參數(shù)：

　　感量為l(15—18)=360μh。繞組連接關(guān)系和參數(shù)，及繞組線徑及布線要求可。

　　結(jié)語

　　該電源設(shè)計方案，由于有價格優(yōu)勢，許多廠家已采用批量生產(chǎn)，但由于該電源方案的缺陷待機功耗無法做小，不能滿足新的歐盟標(biāo)準(zhǔn)，以后使用將會受到限制。

　　普通crt彩電所用的開關(guān)電源大都屬于反激式開關(guān)電源。反激式開關(guān)電源的最重要的特征體現(xiàn)在變壓器的繞制和有關(guān)開關(guān)器件的連接方法上，即變壓器的原邊和副邊不可能同時導(dǎo)通。fscq1265rt就是反激式開關(guān)電源。

　　fscq1265rt簡介

　　fscq1265rt采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換（qrc）方式，內(nèi)置高壓（vdss=650v）sensefet，pwm控制器和軟起動電路，具有過載、過壓、短路、過溫、欠壓保護功能。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖1所示，管腳定義則見表1。

　　參數(shù)定義及電路描述

　　1 整機參數(shù)定義

　　fscq1265rt適用于大屏幕crt彩電，寬電源交流輸入電壓為85～265vrms，最大輸出功率p0=140w，最大峰值電流ip-p=7a；效率為80%～83%；對于上述輸出功率，整流后選用330～470μf/ 400v的電容。

　　2 mosfet工作電壓vds及共振電路

　　電壓為vdsnom=vdcmax+vro。開關(guān)mosfet的耐壓被用來決定反激電壓vro的值，在其不變的前提下，反激電壓設(shè)置得越高越好。需要說的是，反激電壓是由開關(guān)變壓器的原、副邊匝數(shù)比和輸出電壓來決定的，它是一個不隨輸入電壓變化的量。

　　例如，該開關(guān)mosfet的耐壓為650v，則vdsnom電壓不要超過開關(guān)mosfet耐壓的75%～85%。選擇vro=125v，則在vlinemax=265vac時，vdsnom=500v，留150v的余量給漏感電壓。在應(yīng)用中可視電路情況增加消尖峰吸收電路。

　　在mosfet關(guān)斷時，vds的上升沿是產(chǎn)生開關(guān)電源噪聲的主要原因。可在mosfet的漏-源極之間并聯(lián)一個共振電容來降低vds的上升斜率，以期降低噪聲。此共振電容的增加也降低了mosfet 在關(guān)斷時發(fā)生的開關(guān)損耗。因此，漏-源極間的共振電容在mosfet的關(guān)斷時起了降低噪聲和開關(guān)損耗兩個作用。

　　在mosfet的關(guān)斷期間，共振電容會被充電至vdc+vro。而在mosfet導(dǎo)通之前，共振電容將和變壓器的原邊電感發(fā)生共振，vds將從起始的電壓vdc+vro，經(jīng)半個共振周期后降為vdc-vro。準(zhǔn)諧振電源利用控制器控制mosfet在vds的最低點導(dǎo)通，此時的導(dǎo)通損耗達到最小。共振電容的選擇非常重要，不合適的共振電容在mosfet導(dǎo)通時的放電將導(dǎo)致很大的mosfet導(dǎo)通損耗，使散熱器溫度急劇增高。

　　3 起動電阻和輔助電源vcc

　　開機啟動電阻在開機瞬間提供給控制電路電源電壓，保證控制電路能正常工作。當(dāng)vcc腳電壓升到15v時，電源芯片fscq1265的內(nèi)部控制電路開始工作，芯片內(nèi)的mosfet開始了正常的導(dǎo)通和截止。

　　在正常負(fù)載時，vcc的工作電壓設(shè)定為18v。當(dāng)vcc腳的電壓降低至9v時，芯片內(nèi)部電路和mosfet停止工作。

　　4 同步電路

　　同步電壓vsync取自變壓器輔組繞組，它和漏極電壓對應(yīng)關(guān)系如圖3所示。其中，同步電壓vsyncpk典型值設(shè)置為8～10v，它要小于ovp（12v）電壓3～4v，超過12v就會產(chǎn)生過壓保護。

　　fscq1265rt采用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換工作方式，電源的頻率是隨著輸入電壓和負(fù)載的變化而改變的。負(fù)載變輕時，開關(guān)頻率升高。當(dāng)升到90khz時，控制電路會使mosfet在第二個同步谷點導(dǎo)通（見圖4），這樣會使振蕩頻率又降了下來，限制電源在輕負(fù)載時振蕩頻率的上升。在負(fù)載加重時，開關(guān)頻率降低，當(dāng)降低到45khz時間，進入準(zhǔn)諧振工作狀態(tài)，mosfet在第一個谷點(vdc-vro)導(dǎo)通。

　　5 反饋控制電路

　　fscq1265rt采用電流方式控制，反饋電路保證b+穩(wěn)定輸出。其內(nèi)置前沿消隱電路(leb)，防止pwm控制器誤工作。

　　正常工作時，當(dāng)由于某種原因造成b＋電壓升高后，通過電阻分壓到r極的電壓也升高。r極電壓的升高引起c極電流的增大，即光耦次級（1、2腳）電流增大。這樣，誤差取樣放大電路將b＋電壓的變化轉(zhuǎn)變?yōu)楣怦铍娏鞯淖兓�。因此，光耦初級�?、4腳）的電流增大，電源芯片fb腳電壓降低。芯片內(nèi)部與之對應(yīng)的比較器上的電壓降低，比較器另一個腳接到mosfet的另一個源極取樣電阻rsense上。因此，當(dāng)fb腳電壓降低即意味著開關(guān)管漏極電流的降低，即開關(guān)管提前截止，從而使得b＋電壓降低，反之亦然。

　　開關(guān)變壓器設(shè)計參數(shù)

　　fscq1265rt主要用于crt彩電的開關(guān)變壓器中，現(xiàn)將應(yīng)用

　　設(shè)計中一些參數(shù)做一簡要介紹。

　　1 材料

　　磁心：tdk pc44、ec43

　　骨架：電木，ec43立式

　　絕緣：class b

　　2 工法要求

　　每一層繞制時要求緊密，無交叉，并且布滿整個窗口，以加強耦合。磁芯中柱研磨得出氣隙。初次側(cè)間加三層絕緣膠帶，同一次側(cè)間不同繞組間加一層絕緣膠帶。影響供電繞組在最內(nèi)層，防止對b＋造成干擾。

　　3 繞組參數(shù)：

　　感量為l(15—18)=360μh。繞組連接關(guān)系和參數(shù)，及繞組線徑及布線要求可。

　　結(jié)語

　　該電源設(shè)計方案，由于有價格優(yōu)勢，許多廠家已采用批量生產(chǎn)，但由于該電源方案的缺陷待機功耗無法做小，不能滿足新的歐盟標(biāo)準(zhǔn)，以后使用將會受到限制。