在向著4g手機發(fā)展的過程中，便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標準，包括gsm、gprs、edge、umts、wcdma和hsdpa，與此同時，要要支持100mb/s～1gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持ofdma調(diào)制、支持mimo天線技術(shù)，乃至支持vowlan的組網(wǎng)，因此，在射頻信號鏈設(shè)計的過程中，如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技術(shù)路線，本文就這三條技術(shù)路線進行簡要的比較。

　　利用超cmos工藝，從提高集成度來間接提升pa效率

　　ultracmos采用了soi技術(shù)，在絕緣的藍寶石基片上淀積了一層很薄的硅。類似cmos，ultracmos能夠提供低功耗，較好的可制造性、可重復(fù)性以及可升級性，是一種易用的工藝，支持ip塊的復(fù)用和更高的集成度。

　　與cmos不同的是，ultracmos能夠提供與在手機、射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域普遍使用的gaas或sige技術(shù)相媲美甚至更好的性能。盡管ultracmos和phemt gaas都能提供相同級別的小信號性能并具有相當(dāng)?shù)木W(wǎng)格通態(tài)電阻，但是，ultracmos能夠提供比gaas或sige更優(yōu)異的線性度和防靜電放電(esd)性能。

　　對于更復(fù)雜的應(yīng)用，如最新的多模式、多頻帶手機，選擇合適的工藝技術(shù)更為關(guān)鍵。例如，在這些應(yīng)用中，天線必須能夠覆蓋800～2200mhz的頻段，開關(guān)必須能管理多達8路的大功率射頻信號，同時還必須具有低插損、高隔離度、極好的線性度和低功耗。適當(dāng)?shù)墓に嚰夹g(shù)能夠改善技術(shù)選項的可用性，進而改善天線和射頻開關(guān)的性能，最終改善器件的總體性能。更重要的是，如果工程師在整個設(shè)計中采用同一工藝技術(shù)，能夠獲取更高的集成度。

　　例如，peregrine公司在ultracmos rfic方面的最新進展是推出sp6t和sp7t天線開關(guān)。這些符合3gpp的開關(guān)滿足wcdma和gsm的要求，使得設(shè)計工程師可以在兼容wcdma/gsm的手機中使用一套射頻電路，并且實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能。sp6t和sp7t天線開關(guān)采用了peregrine公司的har技術(shù)，實現(xiàn)了二次諧波為-85dbc、三次諧波為-83dbc、2.14ghz上的三階交調(diào)失真(imd3)為-111dbm這樣的優(yōu)異指標。

　　在手機設(shè)計中兩個最耗電的部分就是基帶處理器和射頻前端。功率放大器(pa)消耗了射頻前端中的絕大部分功率。實現(xiàn)低功耗的關(guān)鍵是使射頻前端中的其他電路消耗盡可能少的功耗且不影響pa的工作。在目前所用的選擇中，帶解碼器的gaas開關(guān)吸納的電流為600μa，但在典型的射頻前端應(yīng)用中，ultracmos sp7t開關(guān)只吸納10μa的電流，因此，可以大幅降低射頻前端的功耗，從而提高射頻功率放大器的效率。

　　目前，采用cmos工藝制造射頻功率放大器的公司包括：英飛凌、飛思卡爾、silicon labs、peregrine、jazz半導(dǎo)體等公司。

　　利用ingap工藝，實現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率

　　ingap hbt(異結(jié)雙極晶體管)技術(shù)的很多優(yōu)點讓它非常適合高頻應(yīng)用。ingap hbt采用gaas制成，而gaas是rf領(lǐng)域用于制造rf ic的最常用的底層材料。原因在于：1. gaas的電子遷移率比作為cmos襯底材料的硅要高大約6倍；2. gaas襯底是半絕緣的，而cmos中的襯底則是傳導(dǎo)性的。電子活遷移率越高，器件的工作頻率越高。

　　半絕緣的gaas襯底可以使ic上實現(xiàn)更好的信號絕緣，并采用損耗更低的無源元件。而如果襯底是傳導(dǎo)性的話，就無法實現(xiàn)這一優(yōu)勢。在cmos中，由于襯底具有較高的傳導(dǎo)性，很難構(gòu)建起功能型微波電路元件，例如高q電感器和低損耗傳導(dǎo)線等。這些困難雖然可以在一定程度上得到克服，但必須通過在ic裝配中采用各種非標準的制程來能實現(xiàn)，而這會增加cmos設(shè)備的制造成本。

　　ngap特別適合要求相當(dāng)高功率輸出的高頻應(yīng)用。ingap工藝的改進讓產(chǎn)量得到了提高，并帶來了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。這樣既簡化了系統(tǒng)設(shè)計，降低了原材料成本，也節(jié)省了板空間。有些ingap pa也采用包含了cmos控制電路的多芯片封裝。如今，在接收端集成了pa和低噪音放大器(lna)并結(jié)合了rf開關(guān)的前端wlan模塊已經(jīng)可以采用精簡型封裝。例如，anadigics公司提出的ingap-plus工藝可以在同一個ingap芯片上集成雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管。這一技術(shù)正被用于尺寸和pae(功率增加效率)有所改進的新型cdma和wcdma功率放大器。

　　rf cmos pa與gaas pa的比較
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　　當(dāng)前，大部分手機pa都是采用gaas和ingap hbt技術(shù)，只有一小部分采用的是rf cmos工藝制造。與gaas器件相比，rf cmos技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的集成度，而且成本也更低。

　　然而，并非所有消費電子產(chǎn)品的理想選擇。例如無線網(wǎng)絡(luò)和手機市場就被gaas pa所統(tǒng)治，因為它可以支持高頻率和高功率應(yīng)用，而且效率很高。另一方面，rf cmos pa則在藍牙和zigbee應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，因為它一般運行功率更低，而且性能要求沒有那么苛刻。

　　目前，對于高性能pa應(yīng)用，gaas仍然是主要技術(shù)，只有它才能滿足大部分高端手機和無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對性能的苛刻要求。 在集成度方面，如果要集成進收發(fā)