愛發(fā)科開發(fā)出了在大尺寸液晶面板tft布線時可用銅替代鋁的濺射技術(shù)。提高了布線與玻璃基板及非晶硅（a-si）層的密著性，同時防止了原子擴散。該技術(shù)已經(jīng)開始向液晶面板廠商推薦，希望能夠?qū)⑵鋺迷?0英寸級和60英寸級以上的液晶電視以及高精細數(shù)字廣告牌上。

　　克服了cu與玻璃基板的密著性差的問題

　　隨著液晶面板向大型化發(fā)展，業(yè)界希望開發(fā)出布線電阻小的材料。目前的主流材料為鋁合金，其電阻為4～5μω·cm，純鋁為3～3.5μω·cm。但是在50英寸以上的面板中，存在由于布線較長，導致信號劣化的問題。為避免這種情況，大多是在面板兩側(cè)安裝驅(qū)動ic來分擔驅(qū)動，不過這樣又會使成本增加。而布線使用銅的話，電阻僅為2μω·cm，能夠只由面板一側(cè)來驅(qū)動，從而使驅(qū)動ic的成本減半。此前也有布線時使用銅的工藝，但問題是銅與玻璃基板及硅層等的密著性較差，并且銅原子容易向硅層擴散。

　　鋁布線時也會產(chǎn)生鋁原子擴散，為防止擴散，此前使用mo和ti等貴重金屬形成防護層（勢壘層）。但是，除了材料價格高之外，還需要采用不同的蝕刻工藝，成為成本升高的主因。另外，在熱工藝中還會產(chǎn)生半球狀突起物，導致電路短路的可能性增大。

　　利用銅合金靶材和氧混合氣體來解決

　　愛發(fā)科千葉超材料研究所此次開發(fā)的工藝的特點是：提高了銅布線與玻璃基板的密著性，同時防止了原子擴散。首先，在玻璃基板上形成銅氧化層。在氬氣中混有氧氣的混合氣體條件下進行濺射，形成與玻璃基板及底層膜連接的界面銅氧化層。然后，停止供氧，在氬氣條件下層疊銅布線層。

　　銅氧化層的作用是提高與底板的密著性并充當勢壘層。因此，不再需要mo及ti等勢壘金屬（barrier metal）。另外蝕刻特性與銅布線層相同，因此不需要多余的刻蝕工藝。

　　為進一步提高銅氧化層與底板的密著性，此次將添加了比銅更易于氧化的mg、mn、ni、zr等金屬的銅合金作為濺射靶材。

　　液晶面板布線的30％可以使用該技術(shù)

　　此次開發(fā)的cu-mg、cu-ti及cu-zr等濺射靶材由愛發(fā)科材料銷售。該公司預計2010年的布線靶材按鋁換算將達到每年1000噸，市場規(guī)模達到100億～200億日元，其中，2008年約有5％、2010年約30％將被銅布線靶材取代�！耙壕姘宓牟季�材料比半導體用得更多，因此材料廠商對銅充滿期待”（愛發(fā)科材料代表董事社長伊藤隆治）。