探討ｌｅｄ外延片的成長工藝，早期在小積體電路時代，每一個６吋的外延片上制作數(shù)以千計的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型ｖｌｓｉ，每一個８吋的外延片上也只能完成一兩百個大型芯片。外延片的制造雖動輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎。

　　硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹：

　　長晶主要程式：

　　１、融化（ｍｅｌｔｄｏｗｎ）

　　此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復晶硅加熱制高于攝氏１４２０度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來融化復晶硅，石英坩鍋的壽命會降低，反之功率太低則融化的過程費時太久，影響整體的產(chǎn)能。

　　２、頸部成長（ｎｅｃｋ　ｇｒｏｗｔｈ）

　　當硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定（約６ｍｍ），維持此直徑并拉長１０－２０ｃｍ，以消除晶種內(nèi)的排差（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ），此種零排差（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ－ｆｒｅｅ）的控制主要為將排差局限在頸部的成長。

　�。�、晶冠成長（ｃｒｏｗｎ�。纾颍铮鳎簦瑁�

　　長完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。

　�。�、晶體成長（ｂｏｄｙ�。纾颍铮鳎簦瑁�

　　利用拉速與溫度變化的調(diào)整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。

　　５、尾部成長（ｔａｉｌ�。纾颍铮鳎簦瑁�

　　當晶體成長到固定（需要）的長度后，晶棒的直徑必須逐漸地縮小，直到與液面分開，此乃避免因熱應力造成排差與滑移面現(xiàn)象。

　　切割：

　　晶棒長成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片，　圓片，是半導體元件＂芯片＂或＂芯片＂的基材，從拉伸長出的高純度硅元素晶柱�。ǎ悖颍螅簦幔臁。椋睿纾铮簦┥�，所切下之圓形薄片稱為外延片（外延片）。

　　磊晶：

　　砷化鎵磊晶依制程的不同，可分為ｌｐｅ（液相磊晶）、ｍｏｃｖｄ（有機金屬氣相磊晶）及ｍｂｅ（分子束磊晶）。ｌｐｅ的技術較低，主要用于一般的發(fā)光二極體，而ｍｂｅ的技術層次較高，容易成長極薄的磊晶，且純度高，平整性好，但量產(chǎn)能力低，磊晶成長速度慢。ｍｏｃｖｄ除了純度高，平整性好外，量產(chǎn)能力及磊晶成長速度亦較ｍｂｅ為快，所以現(xiàn)在大都以ｍｏｃｖｄ來生產(chǎn)。

　　其過程首先是將ｇａａｓ襯底放入昂貴的有機化學汽相沉積爐（簡ｍｏｃｖｄ，又稱外延爐），再通入ｉｉｉ、ｉｉ族金屬元素的烷基化合物（甲基或乙基化物）蒸氣與非金屬（ｖ或ｖｉ族元素）的氫化物（或烷基物）氣體，在高溫下，發(fā)生熱解反應，生成ｉｉｉ－ｖ或ｉｉ－ｖｉ族化合物沉積在襯底上，生長出一層厚度僅幾微米（１毫米＝１０００微米）的化合物半導體外延層。長有外延層的ｇａａｓ片也就是常稱的外延片。外延片經(jīng)芯片加工后，通電就能發(fā)出顏色很純的單色光，如紅色、黃色等。不同的材料、不同的生長條件以及不同的外延層結(jié)構(gòu)都可以改變發(fā)光的顏色和亮度。其實，在幾微米厚的外延層中，真正發(fā)光的也僅是其中的幾百納米（１微米＝１０００納米）厚的量子阱結(jié)構(gòu)。

　　反應式：　ｇａ（ｃｈ３）３�。穑瑁常健。纾幔穑常悖瑁�

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