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輸入電容和浮游電容的影響

發(fā)布時(shí)間:2008/9/9 0:00:00 訪問次數(shù):848

  圖1 等價(jià)地表示op放大器自身的輸人電容ci和反饋電路的浮游電容(雜散電容)cf,如果此電路中的ci和cf的電抗值與電阻r1和r2的值相比不是充分小時(shí),則在頻率響應(yīng)上會(huì)產(chǎn)生變化。

  圖1 決定反相放大器電阻值的要素

  op放大器自身的輸入電容ci會(huì)使頻率特性上引人尖峰脈沖,反饋電阻r1和并聯(lián)連接的cf會(huì)使高頻領(lǐng)域的增益下降,從而使頻率特性惡化。為抑制ci和cf的影響,希望電阻r1和r2的值盡量低。

  圖2是表示在常用的op放大器(tl082)中,r2的值在100k、1m、10m、100mω變化時(shí)的頻率特性的變化。要知道r2為100mω時(shí),會(huì)受到電路圖中未表示的靜電電容、浮游電容的影響。

  圖2 隨著反饋電阻r2的值的改變,反相放大器的頻率特性的變化(f=100hz~1mhz,3.odb/div)

  當(dāng)然,使用100mω的反饋電阻器的情況極少。此實(shí)驗(yàn)中是為了讓讀者看到顯著的現(xiàn)象為目的的,學(xué)到使用高電阻時(shí),會(huì)受到浮游電容的影響的知識(shí)。

  歡迎轉(zhuǎn)載,信息來(lái)自維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng)(www.dzsc.com)



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  圖2是表示在常用的op放大器(tl082)中,r2的值在100k、1m、10m、100mω變化時(shí)的頻率特性的變化。要知道r2為100mω時(shí),會(huì)受到電路圖中未表示的靜電電容、浮游電容的影響。

  圖2 隨著反饋電阻r2的值的改變,反相放大器的頻率特性的變化(f=100hz~1mhz,3.odb/div)

  當(dāng)然,使用100mω的反饋電阻器的情況極少。此實(shí)驗(yàn)中是為了讓讀者看到顯著的現(xiàn)象為目的的,學(xué)到使用高電阻時(shí),會(huì)受到浮游電容的影響的知識(shí)。

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