由單繞線變壓器組成的50Ω/75Ω的阻抗變換電路
發(fā)布時間:2008/9/9 0:00:00 訪問次數(shù):859
高頻用測定器的輸人輸出阻抗一般為50ω.由于映像關(guān)系為75ω,所以用50ω系列的測定器測試阻抗75ω的電路時,如果有無電壓損失的阻抗變換器就相當(dāng)?shù)谋憷?/p>
圖1是由單繞線變壓器組成的阻抗變換電路的構(gòu)成。直流信號不能傳送,但可設(shè)計任意的匝數(shù)比,所以能夠?qū)?yīng)各種各樣的阻抗。照片1表示用環(huán)形鐵心制作的阻抗變換器的外觀。
圖1 50ω/75ω的阻抗變換電路
這里,針對50ω/75ω的阻抗變換器進行介紹并實驗。
首先,進行匝數(shù)比的計算,匝數(shù)比的計算由阻抗比的平方裉決定。如n1,取適當(dāng)?shù)脑褦?shù),則
照片1 制作的阻抗變換電路的外觀
如果想延伸低頻特性,可盡量選擇初透磁率μi的環(huán)形鐵心,這里使用ft-82-75的鐵心。這種鐵心的初透磁率μi為5000,是透磁率最高的鐵心(參照表6.1)。當(dāng)n1=50匝時,得到l1≈8.5mh,l2≈13mh。
照片2是測定50ω或75ω作終端時的輸人阻抗-頻率特性的波形。由50ω→75ω變換時,n2側(cè)為75ω的終端阻抗,由50ω→75ω變換時,輸入輸出相反,n1側(cè)以50ω為終端進行測定。
照片2 制作的電路輸人阻抗-頻率特性(上面為75ω→50ω,下面為50ω→75ω,f=1khz~10mhz)
低頻時的阻抗下降,這是由于線圈的電抗(xl=2πft)變低的緣故。相反地,表示的在數(shù)mhz處的上升曲線,可認(rèn)為是由泄露電感和浮游電容組成的并聯(lián)共振所引起的。
照片3表示50ω→75ω變換連接時的頻率相位特性。低頻的衰減特性由線圈的電感引起,實際上從所需頻帶卜決定了匝數(shù)。
照片3 50ω→75ω變換時的增益相位特性(f=l00hz~lomhz,3db/div,20°/div.)
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)(www.dzsc.com)
高頻用測定器的輸人輸出阻抗一般為50ω.由于映像關(guān)系為75ω,所以用50ω系列的測定器測試阻抗75ω的電路時,如果有無電壓損失的阻抗變換器就相當(dāng)?shù)谋憷?/p>
圖1是由單繞線變壓器組成的阻抗變換電路的構(gòu)成。直流信號不能傳送,但可設(shè)計任意的匝數(shù)比,所以能夠?qū)?yīng)各種各樣的阻抗。照片1表示用環(huán)形鐵心制作的阻抗變換器的外觀。
圖1 50ω/75ω的阻抗變換電路
這里,針對50ω/75ω的阻抗變換器進行介紹并實驗。
首先,進行匝數(shù)比的計算,匝數(shù)比的計算由阻抗比的平方裉決定。如n1,取適當(dāng)?shù)脑褦?shù),則
照片1 制作的阻抗變換電路的外觀
如果想延伸低頻特性,可盡量選擇初透磁率μi的環(huán)形鐵心,這里使用ft-82-75的鐵心。這種鐵心的初透磁率μi為5000,是透磁率最高的鐵心(參照表6.1)。當(dāng)n1=50匝時,得到l1≈8.5mh,l2≈13mh。
照片2是測定50ω或75ω作終端時的輸人阻抗-頻率特性的波形。由50ω→75ω變換時,n2側(cè)為75ω的終端阻抗,由50ω→75ω變換時,輸入輸出相反,n1側(cè)以50ω為終端進行測定。
照片2 制作的電路輸人阻抗-頻率特性(上面為75ω→50ω,下面為50ω→75ω,f=1khz~10mhz)
低頻時的阻抗下降,這是由于線圈的電抗(xl=2πft)變低的緣故。相反地,表示的在數(shù)mhz處的上升曲線,可認(rèn)為是由泄露電感和浮游電容組成的并聯(lián)共振所引起的。
照片3表示50ω→75ω變換連接時的頻率相位特性。低頻的衰減特性由線圈的電感引起,實際上從所需頻帶卜決定了匝數(shù)。
照片3 50ω→75ω變換時的增益相位特性(f=l00hz~lomhz,3db/div,20°/div.)
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