圖1表示晶體管的開關(guān)電路。下面使用高耐壓的開關(guān)晶體管zsc2534(vceo＝500v icqmax=2a)，負(fù)載電阻rl＝51ω時的1a電流進行開關(guān)動作�；鶚O電阻rb為100ω，為使晶體管充分飽和動作，基極電流ib應(yīng)為50ma(用電流探頭測定，變化脈沖電壓合成)。

　　圖1 晶體管的開關(guān)特性測定電路

　　圖2 的上側(cè)ch1是輸出電壓波形。當(dāng)晶體管on時，集電極電壓vce下降。下側(cè)ch2是觀測的基極電流波形(50ma)，但基極電流ib＝0a時也不能立刻off，約1.2μs后off。這樣的狀態(tài)作為高速開關(guān)電路是存在問題的。

　　圖2 zsc2534的開關(guān)特性

　　要使晶體管的開關(guān)更高速的動作，一般在基極電阻rb上并聯(lián)連接電容cs(稱為加速電容器)。

　　圖3是cs＝0.01μf(實驗的最佳值)時的開關(guān)波形。通過加上toff由1.2μs縮短為0.4μs，從0.6μs改善為0.1μs，從0.64μs改善為0.2μs。觀察此時的基極電流ib的波形可知on/off時會發(fā)生過驅(qū)動，這是因為為改善細(xì)，將晶體管內(nèi)的儲蓄電荷以逆電流形式引人的原因所致。還有，如果cs的值過大，相反的toff會變長。

　　圖3 sc2534的開關(guān)特性

　　歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)（www.dzsc.com）