前面實驗的功率mosfet是漏極損耗15ow的器件。下面，針對大容量的功率mosfet進行實驗。

　　這里，使用2sk1522(pd＝250w、vds＝50ov、ids＝50a、ciss＝87oopf、crs＝235pf、ron＝0. 11ωmax；日立制造)，門極輸入電容是2sk1379的幾倍。

　　實驗電路中為觀測門極電流ig及漏極電流id的波形，夾緊探頭(圖1、照片2)。負載電阻因繞線系統(tǒng)中的電阻器可能會產(chǎn)生阻抗振蕩，所以并聯(lián)連接8個3w、200ω的氧化金屬薄膜電阻，當用于開關(guān)的輸人占空比極小不能測定時就會發(fā)熱．

　　圖1 250w功率mosfet的開關(guān)特性測定電路

　　圖2 功率mosfet的特性測定電路

　　觀察驅(qū)動電路的特性之前，使用脈沖發(fā)生器，研究對門極電阻rg的開關(guān)的依賴性。

　　圖1是測試電路中，rg＝100ω(脈沖發(fā)生器的終端電阻為50ω)時的門極一源極間電壓vgs、漏極－源極間電壓vds的開關(guān)波形。這里為進行直觀的比較，實驗電路的測定條件固定(脈沖幅度1oμs、時間軸2.5μs/div)。

　　從波形圖可知，vgs波形上升很快，高速時fet為on。vds形在vgs的off后延遲1.2μs才off。此時間稱為關(guān)閉延遲off，是高頻開關(guān)電路中重要的因素。

　　圖3是rg＝100ω時的開關(guān)波形。大致的樣子發(fā)生了變化。on時由于通過信號源阻抗對mosfet的門輸人電容進行充放電，所以on時的延遲時間tdon變長。飽和時的vgs波形的上升變慢，off的延遲也變得相當大。漏極電壓的(ch2 fall)、tr(ch2， rise)在圖面的右上方表示。

　　圖3 由2sk1522組成的開關(guān)柵極波形和輸出電壓波形

　　從以上實驗可知，功率mosfet進行高速開關(guān)時，應盡量用低電阻驅(qū)動。另外，tdoff比tdon的延遲與r，有關(guān)，應降低驅(qū)動電路off時的電阻。

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