作為高速的開關(guān)器件，功率mosfet比較被注目。要充分地使用它，就必須非常清楚其門驅(qū)動電路。

　　功率mosfet在苴流～低速開關(guān)用途上，與以往的場效應(yīng)品體管相比易于驅(qū)動是其最大的特色．但如要在高頻時實現(xiàn)高速開關(guān)動作，則因門輸入阻抗低而非常困難，教科書卜提到過功率mosfet的輸人阻抗極高，但那是有適用條件的．

　　圖1是用于測試功率mosfet(2sk1379)的開關(guān)特性的電路．試驗中使用的2sk1379(東芝)是60v、50a，漏極損耗150w,gm＝25～35s的功率開關(guān)器件．注意其輸入電容cis＝36oopf、反饋電容crs＝10o0pf 使用此fet，研究其門極上直接串聯(lián)連接的電阻rg對特性帶來的影響。

　　mosfet實質(zhì)上是高速開關(guān)器件，受到輸入輸出問的耦合、配線等的寄生電感的影響，具有動作不易穩(wěn)定的性質(zhì)。因此，門極電阻rg的插人不可缺少，隨著rg的提高，開關(guān)的時間變慢。那是因為存在門輸入電流對門輸入電容cis進(jìn)行充放電的時間常數(shù)。越高速的開關(guān)，越需要大的閘輸入電流．

　　圖1 150w功率mosfet開關(guān)特性測定電路

　　一方面，off開關(guān)時，如果不將門極儲蓄的電荷引人到驅(qū)動側(cè)，就不能off。

　　實驗電路中測定門電流時用電流探頭夾緊(帶域幅度dc～50mhz)。為了觀測門極端子流過的電流i，而插入。負(fù)載電阻rl以50v、10a開關(guān)，rl＝vo/io＝5ω(4個20ω并聯(lián))。

　　圖2是通過rg＝50ω，將5vp-p、45μs的脈沖進(jìn)行開關(guān)時的輸出波形v。和門極輸人電流ig的波形。

　　圖2 由2sk1379組成的開關(guān)----輸出電壓波形和柵極電流波形

　　門極電流的峰值略小于40ma，ig≈0的時間為5μs。

　　輸出波形的下降時間略小于1μs，上升時間幾乎相同。另外，開關(guān)off時，也流過40ma的門極電流(電流方向相反)。驅(qū)動電路消耗的電力是此電流波形的積分值，高頻時也不能忽視驅(qū)動電路的電力。

　　這里rg＝100ω時的上升、下降時問為1.8μs、2μs,ig＝25ma(峰值)rg＝200ω h時為3.1μs 、3.2μs、,ig=15mapeak,如果減少峰值電流，則開關(guān)特性會變差．

　　圖3是rg＝600ω時的波形。輸出電壓波形也不理想，一方面，由于門極申流波形雖然減少到7.5mapeak, 但電流流過的時間(時間常數(shù))變長．輸出波形off時的阻尼振蕩現(xiàn)象少，所以只能適用于低速開關(guān)。

　　圖3 由2sk1379組成的開關(guān)…輸出電壓波形和柵極電流波形(rg=600ω)

　　綜上所述，實現(xiàn)高速開關(guān)時．需耍驅(qū)動電路的最大輸出電流大(最好是推挽的射極跟隨器)上升時間及下降時間短的驅(qū)動波形．

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