1）靜態(tài)特性及參數(shù)

　�。�1）輸出特性：mosfet的輸出特性如圖所示，其特點是柵一源電壓ugs控制漏極電流id。

　　（2）漏極（額定）電流id：mosfet的電流容量（幅值）（如dgs=10v）。

　　（3）漏一源擊穿電壓buds是指該型號mosfet或該管最大瞬時電壓的耐壓，當(dāng)漏一源電壓uds超過buds時，漏一源極之間雪崩效應(yīng)電流激增9瞬間 局部過熱損壞。buds為正慍度系數(shù)，結(jié)溫每升高10℃，buds約增大1％。

　　（4）開啟電壓ugs（th），又稱為閾值電壓，如3.2v、1.5v。柵一源電壓超過此值時，漏極電流由小到顯著增大；如圖1（a）中ugs=3.5v曲線已明顯 離開橫坐標(biāo)。

　　ugs（3.2v時，漏-源極之間基本截止，為了可靠截止，ugs加數(shù)伏負(fù)偏壓，如-5v。

　�。�5）通態(tài)電阻rds（on），是指定柵壓ugs（如10v、4.5v）和漏極電流id的條件下，特性低阻區(qū)的直流電阻。通態(tài)電阻rds（on）與柵一源電壓的關(guān)系 如圖1（b）所示。曲線上斜直線段的斜率為電導(dǎo)，驅(qū)動電壓ugs較大時電導(dǎo)較大，電阻rds（on）較小。高壓大電流mos-fet需要12～15 y的驅(qū)動電壓 。

　　如圖1 mosfet的輸出特性

　　①mosfe的通態(tài)壓降是變量（不是固定參數(shù)），可以用idrds（on）計算。

　�、趍osfet的rds（on）與漏一源擊穿電壓的7/6次方（即buds7/6）成正比（當(dāng)id一定時）。

　�、踡osfet的rds（on）與漏極額定電流id成反比（buds一定時）。

　　可見，不同規(guī)格mosfet的通態(tài)電阻rds（on）變化范圍很大，高壓小電流mosfet的rds（on）為1ω數(shù)量級，通態(tài)壓降高達數(shù)伏；低壓大電流mosfet 的rds（on）小到10mω數(shù)量級，電流為10a的通態(tài)壓降僅0.1v，所以可用mosfet協(xié)助二極管減小壓降，稱為同步整流器。

　　（6）跨導(dǎo)gfs（電壓控制電流的增益，單位為s，西[門子]）。

　　可以用如圖1（a）兩條曲線之間距離代表的數(shù)據(jù)，代入上式求出。

　　2）動態(tài)特性及參數(shù)

　　在表達器件開關(guān)特性時，“開通”是指從斷態(tài)變成通態(tài)的動態(tài)過程，“關(guān)斷”是指從通態(tài)變成斷態(tài)的動態(tài)過程。對應(yīng)上述過程所需的時間為 開通時間ton和關(guān)斷時間toff，簡稱開關(guān)時間。

　�。�1）極間電容是影響開關(guān)時間的主要因素，如圖2（a）所示。含柵-源電容cgs、柵-漏電容cgd和漏-源電容cds，并有cgs》cds》cgd》（可以用做 近似分析條件）。

�。�2）開通過程如圖2（b）所示。

　　如圖2 mosfet的開關(guān)過程波形

　�、賢0～t1期間：驅(qū)動電壓從零上升，經(jīng)rg對如圖2（a）g端等效輸入電容ciss充電，ciss可按下式計算：

　　電壓按斜虛線上升（開路脈沖），ciss越小，則電壓上升得越快。

　　②t1～t2，期間：在t1瞬間，mosfet柵-源電壓達到開啟電壓ugs（th），漏極電流開始上升，由于電路的漏一源等效的輸出電容coss處于漏一源之間的高電壓，可以按下式計算：

　　coss=cds+cgd

　　對于mosfet容性放電，漏極電流id上升，漏-源電壓有所下降，經(jīng)反饋電容crss影響g驅(qū)動電壓上升速率（低于開路脈沖）

　　crss=cgd

　�、踭2～t3期間：在t2瞬間，漏極電流id已達到穩(wěn)態(tài)幅值，但coss的電壓尚大，電流還會過沖。

　�、躷3～t4期間：在t3瞬間，coss在漏極峰值電流放電下，電壓迅速下降，經(jīng)過反饋電容crss影響g驅(qū)動電壓略有回落，維持漏極電流所需的驅(qū) 動電壓值保持平衡。

　�、輙4之后，在t4瞬間，coss上的電荷放完，漏一源電壓近似為零不變，反饋消失。ugs升高到開路脈沖，進入穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通期。

　　（3）關(guān)斷過程如圖2（c）所示。

　　①t0～t1期間：柵-源驅(qū)動電壓ugs下降，輸入電容ciss放電，但ugs仍大于當(dāng)時漏極電流id飽和導(dǎo)通所需的電壓，故id繼續(xù)飽和導(dǎo)通。

　�、趖1～t2期間：ugs小于漏極電流下飽和所需的驅(qū)動電壓，漏極電壓上升，對輸出電容crss（≈cds＋cgd）充電，并經(jīng)過反饋電容crss（等于 cgd）反饋到柵極g，維持柵極電壓（高于開路脈沖），由于電路中有電感，電壓uds會過沖占

　　③t2～t3期間：ugs從最大值回落時，經(jīng)反饋電容crss（等于cgd）反饋到柵極g，使柵壓ugs下降，漏極電流id下降。

　�、躷3～t4期間：柵壓ugs下降到閾值電壓ugs（th），漏極電流id下降到零。

　�、輙4瞬間，ugs下降到零，進入穩(wěn)態(tài)關(guān)斷期。

　�。�4）開關(guān)時間。開通時間ton：由開通延遲時間和上升時間組成。