EDA典型單元電路的SRAM和ROM主要區(qū)別
發(fā)布時間:2008/10/13 0:00:00 訪問次數:454
sram和rom的主要區(qū)別在于ram描述上有讀和寫兩種操作，而且在讀寫上對時間有較嚴格的要求。
【例】 用vhdl設計一個8×8位的雙口sram的vhdl程序，并使用max+p1us ⅱ進行仿真。
仿真結果如圖所示。
如圖 讀寫存儲器dpram仿真圖
歡迎轉載,信息來自維庫電子市場網（www.dzsc.com）
sram和rom的主要區(qū)別在于ram描述上有讀和寫兩種操作，而且在讀寫上對時間有較嚴格的要求。
【例】 用vhdl設計一個8×8位的雙口sram的vhdl程序，并使用max+p1us ⅱ進行仿真。
仿真結果如圖所示。
如圖 讀寫存儲器dpram仿真圖
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