晶閘管損壞原因判別區(qū)分-可控硅損壞原因分析判斷
發(fā)布時間:2008/10/20 0:00:00 訪問次數(shù):469
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。
電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞,而其在控制極附近或就在控制極上。
3、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)(www.dzsc.com)
當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時,可把管芯從冷卻套中取出,打開芯盒再取出芯片,觀察其損壞后的痕跡,以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞,其芯片中有一個光潔的小孔,有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑,且粗糙,其位置在遠離控制極上。
電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞,而其在控制極附近或就在控制極上。
3、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。
歡迎轉(zhuǎn)載,信息來自維庫電子市場網(wǎng)(www.dzsc.com)
熱門點擊
- 怎么測量變壓器的好壞
- 變壓器接線組別Yn d11是什么意思
- 變壓器鐵芯截面積的計算公式
- 怎么樣檢測繼電器好壞_電磁式繼電器的測量
- 音頻變壓器和高頻變壓器特性參數(shù)
- 汽車繼電器啟動機的原理作用圖
- 萬用表測量區(qū)分單向雙向可控硅(晶閘管)
- 可控硅調(diào)壓電路原理_可控硅調(diào)壓器電路圖_晶閘
- 可控硅(晶閘管)強觸發(fā)脈沖系統(tǒng)的抗干擾措施
- 晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容及阻
推薦技術(shù)資料
- FU-19推挽功放制作
- FU-19是國產(chǎn)大功率發(fā)射雙四極功率電二管,EPL20... [詳細]
- 電源管理 IC (PMIC)&
- I2C 接口和 PmBUS 以及 OTP/M
- MOSFET 和柵極驅(qū)動器單
- 數(shù)字恒定導(dǎo)通時間控制模式(CO
- Power Management Buck/
- 反激變換器傳導(dǎo)和輻射電磁干擾分析和抑制技術(shù)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究