對單向可控硅(晶閘管)來說，當柵極電壓達到門限值ｖｇｔ且柵電流達到門限值ｉｇｔ時，可控硅(晶閘管)被觸發(fā)導通。當觸發(fā)電流的脈寬較窄時，則應提高觸發(fā)電平。當負載電流超過單向可控硅(晶閘管)的閂電流ｉｌ時，即使此時的柵電流減為零，可控硅(晶閘管)仍能維持導通狀態(tài)。為了保證電路在環(huán)境最低溫度下也能正常工作，則要求驅(qū)動電路能提供足夠高的電壓、電流及占空比的控制信號。

　　高靈敏度的單向可控硅(晶閘管)，會在高溫下因陽－陰極間的漏電流而誤觸發(fā)，應確保不超過ｔｊｍａｘ�？煽康仃P斷單向可控硅(晶閘管)，負載電流必須降到低于保持電流ｉｈ，并維持一定的時間。

　　標準的雙向可控硅(晶閘管)既可被柵極的正向電流觸發(fā)，也能被柵極的反向電流觸發(fā)，它可以在四個象限內(nèi)導通。在負載電流為零時，最好用反相的直流或單極性脈沖的（柵極）電流觸發(fā)。

　　在通常的交流相位控制電路中，如電燈調(diào)光器和家用馬達調(diào)速器等，可控硅(晶閘管)ｇ與ｍｔ２的極性要一致，在設計可控硅(晶閘管)時要避免在３＋區(qū)域內(nèi)工作（ｍｔ２為－，ｇ為＋）。

　　值得注意的是，雙向可控硅(晶閘管)可能在一些意想不到的情況下觸發(fā)導通，其后果有些問題不大，而有些則有潛在的破壞性。

　�。保� 柵極上的噪聲電平

　　在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過ｖｇｔ，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會被觸發(fā)導通。

　　應用安裝時，首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后ｇ與ｍｔ１之間加一個１ｋω的電阻來降低其靈敏度，也可以再并聯(lián)一個１００ｎｆ的電容，來濾掉高頻噪聲。

　�。玻� 關于轉(zhuǎn)換電壓變化率

　　當驅(qū)動一個大的電感性負載時，在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時，雙向可控硅(晶閘管)開始換向，但由于相移的關系，電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時，就沒有足夠的時間使結(jié)間的電荷釋放掉，而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態(tài)。

　　為了克服上述問題，可以在端子ｍｔ１和ｍｔ２之間加一個ｒｃ網(wǎng)絡來限制電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻�。保埃皐，電容�。保埃埃睿妗Ｖ档米⒁獾氖谴穗娮璨荒苁〉�。

　�。常� 關于轉(zhuǎn)換電流變化率

　　當負載電流增大，電源頻率的增高或電源為非正弦波時，會使轉(zhuǎn)換電流變化率變高，這種情況最易在感性負載的情況下發(fā)生，很容易導致器件的損壞。此時可以在負載回路中串聯(lián)一只幾毫亨的空氣電感。

　�。矗� 關于可控硅(晶閘管)開路電壓變化率ｄｖｄ／ｄｔ

　　在處于截止狀態(tài)的雙向可控硅(晶閘管)兩端加一個小于它的ｖｄｆｍ的高速變化的電壓時，內(nèi)部電容的電流會產(chǎn)生足夠的柵電流來使可控硅(晶閘管)導通。這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在ｍｔ１和ｍｔ２間加一個ｒｃ緩沖電路來限制ｄｖｄ／ｄｔ，或可采用高速可控硅(晶閘管)。

　�。担� 關于連續(xù)峰值開路電壓ｖｄｒｍ

　　在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓ｖｄｒｍ的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上。

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