一、單向可控硅參數(shù)_額定通態(tài)平均電流it（av）

　　在環(huán)境溫度為+40℃及規(guī)定的散熱條件、純電阻負(fù)載、元件導(dǎo)通角大于己于170°電角度時(shí)，可控硅所允許的單相工頻正弦半波電流在一個(gè)周期內(nèi)的最大平均值。

　　二、單向可控硅管的參數(shù)_通態(tài)平均電壓ut（av）

　　在規(guī)定環(huán)境、溫度散熱條件下，元件通以額定通態(tài)平均電流，結(jié)溫穩(wěn)定時(shí)，陽(yáng)極和陰極間電壓平均值。

　　三、單向可控硅參數(shù)_控制極觸發(fā)電壓ugt

　　在室溫下，陽(yáng)極和陰極間加6v電壓時(shí)，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜?dǎo)通所需的最小控制極直流電壓。

　　四、單向可控硅管的參數(shù)_控制極觸發(fā)電流igt

　　在室溫下，陽(yáng)極和陰極間加6v電壓時(shí)，使可控硅從截止變?yōu)橥耆珜?dǎo)通所需的控制極最小直流電流。

　　五、單向可控硅參數(shù)_斷態(tài)重復(fù)峰值電壓upfv

　　在控制極斷開(kāi)和正向阻斷的條件下，陽(yáng)極和陰極間可重復(fù)施加的正向峰值電壓。其數(shù)值規(guī)定為斷態(tài)下重復(fù)峰值電壓upsm的80%。

　　六、單向可控硅管的參數(shù)_反向重復(fù)峰值電壓uprv

　　在控制極斷開(kāi)的條件下，陽(yáng)極和陰極之間可重復(fù)施加的反向峰值電壓。其數(shù)值規(guī)定為反向不重復(fù)峰值電壓ursm的80%。一般把upfv和uprv中較小的數(shù)值作為元件的額定電壓。

　　七、單向可控硅參數(shù)_維持電壓ih

　　在室溫和控制極斷路時(shí)，可控硅從較大的通態(tài)電流降至剛好能保持元件處于通態(tài)的最小電流，一般為幾十到一百多ma。如果通過(guò)的正向電流小于此值，可控硅就不能繼續(xù)保持導(dǎo)通而自行截止。

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