一、單向可控硅（晶閘管）結(jié)構(gòu)原理：?jiǎn)蜗蚩煽毓枋且环N可控整流電子元件，能在外部控制信號(hào)作用下由關(guān)斷變?yōu)閷?dǎo)通，但一旦導(dǎo)通，外部信號(hào)就無(wú)法使其關(guān)斷，只能靠去除負(fù)載或降低其兩端電壓使其關(guān)斷。單向可控硅是由三個(gè)pn結(jié)pnpn組成的四層三端半導(dǎo)體器件與具有一個(gè)pn結(jié)的二極管相比，單向可控硅正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制；與具有兩個(gè)pn結(jié)的三極管相比，差別在于可控硅對(duì)控制極電流沒(méi)有放大作用。

　　單向可控硅結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)圖

　　二、雙向可可控硅（晶閘管）結(jié)構(gòu)原理：雙向可控硅具有兩個(gè)方向輪流導(dǎo)通、關(guān)斷的特性。雙向可控硅實(shí)質(zhì)上是兩個(gè)反并聯(lián)的單向可控硅，是由npnpn五層半導(dǎo)體形成四個(gè)pn結(jié)構(gòu)成、有三個(gè)電極的半導(dǎo)體器件。由于主電極的構(gòu)造是對(duì)稱的（都從n層引出），所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽(yáng)極和陰極，而是把與控制極相近的叫做第一電極a1，另一個(gè)叫做第二電極a2。雙向可控硅的主要缺點(diǎn)是承受電壓上升率的能力較低。這是因?yàn)殡p向可控硅在一個(gè)方向?qū)ńY(jié)束時(shí)，硅片在各層中的載流子還沒(méi)有回到截止?fàn)顟B(tài)的位置，必須采取相應(yīng)的保護(hù)措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光控制、防爆交流開(kāi)關(guān)以及直流電機(jī)調(diào)速和換向等電路。

　　雙向可控硅結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)圖

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