驅(qū)動(dòng)器1由高電平到低電平轉(zhuǎn)換時(shí)的電流路徑如圖1所示，驅(qū)動(dòng)器1對cp1，進(jìn)行充電回路在圖1中用實(shí)線表示。同時(shí)對cn1進(jìn)行放電回路在圖中用虛線表示。充、放電產(chǎn)生的電流都是從封裝的地引腳流出，從信號線流回，沒有經(jīng)過電源引腳；驅(qū)動(dòng)器1由低電平到高電平轉(zhuǎn)換時(shí)，充、放電電流都是從信號線流出，從封裝的電源引腳流回，不經(jīng)過地引腳。

　　圖1 驅(qū)動(dòng)器1由高電平向低電平轉(zhuǎn)換的電流流向圖

　　不考慮圖1所示中的系統(tǒng)電源電感l(wèi)s，僅僅由封裝電感造成的電壓降為

　　由上式可知，這時(shí)芯片地和系統(tǒng)地并不是保持同樣的零電位，而是存在vgb的電壓波動(dòng)，稱這種情況為地彈（ground bounce）。同樣，低電平到高電平轉(zhuǎn)換時(shí)，由于感應(yīng)電壓的影響，芯片內(nèi)電源電壓將低于系統(tǒng)電源電壓，稱這種情況為電源反彈（power bounce）。

　　可以采取幾個(gè)常用的措施減小地彈：如降低驅(qū)動(dòng)器的邊沿速率，滿足時(shí)序要求的最慢邊沿速率將產(chǎn)生最小的噪聲；減小封裝回路電感，即減小自感或者增大互感；在芯片封裝內(nèi)部使用去耦旁路電容，在這種情況下驅(qū)動(dòng)器1從高電平到低電平轉(zhuǎn)換時(shí)的電流路徑（如圖2所示），附加了額外的充電回路，封裝的電源引腳和地引腳共同分擔(dān)充電電流回路，從而減小電壓波動(dòng)。

　　圖2 芯片內(nèi)部加入去耦旁路電容后，驅(qū)動(dòng)器1從高電平到低電平轉(zhuǎn)換時(shí)的電流流向

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