igbt是insulated gate bipolar transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，igbt是由mosfet和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為mosfet，輸出極為pnp晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有mosfet器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于mosfet與功率晶體管之間，可正常工作于幾十khz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 集電極、發(fā)射極間電壓（符號：vces）：柵極、發(fā)射極間短路時的集電極，發(fā)射極間的最大電壓。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 柵極發(fā)極間電壓（符號：vges ）：集電極、發(fā)射極間短路時的柵極，發(fā)射極間最大電壓。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 集電極電流（符號：ic ）：集電極所允許的最大直流電流。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 耗散功率（符號：pc）：單個igbt所允許的最大耗散功率。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 結(jié)溫（符號：tj）：元件連續(xù)工作時芯片溫廈。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 關(guān)斷電流（符號：ices ）：柵極、發(fā)射極間短路，在集電極、發(fā)射極間加上指定的電壓時的集電極電流。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 漏電流（符號：iges ）：集電極、發(fā)射極間短路，在柵極、集電極間加上指定的電壓時的柵極漏電流。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 飽和壓降（符號：v ce（sat） ）：在指定的集電極電流和柵極電壓的情況下，集電極、發(fā)射極間的電壓。

　　igbt（絕緣柵雙極晶體管）模塊的參數(shù)： 輸入電容（符號：clss ）：集電極、發(fā)射極間處于交流短路狀態(tài)，在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上指定電壓時，柵極、發(fā)射極間的電容。

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