日前，vishay intertechnology, inc.推出一款新型25v n通道器件，從而擴(kuò)展了其gen iii trenchfet功率mosfet系列，對于采用powerpak so-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

　　sir476dp在4.5v柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為2.1mω，在10v柵極驅(qū)動時最大導(dǎo)通電阻為1.7mω。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對mosfet的關(guān)鍵優(yōu)值(fom)，在4.5v時為89.25nc。

　　與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類競爭器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5v及10v時導(dǎo)通電阻分別低32%與15%，fom低42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失。

　　siliconix sir476dp將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級同步整流及or-ing應(yīng)用中作為低端mosfet。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊(c)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn)(pol)功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

vishay還推出了新型25v sir892dp和sir850dpn通道m(xù)osfet。這些器件在4.5v時提供了4.2mω與9mω的導(dǎo)通電阻，在10v時為3.2mω及7mω，典型柵極電荷為20nc及8.4nc。所有這三款新型功率mosfet均采用powerpak so-8封裝類型。這些器件無鉛(pb)，無鹵素，并且符合rohs，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

　　目前，sir476dp, sir892dp, 及sir850dp的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。

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