最簡單的制作cmos oeic的方法，就是利用cmos工藝中能夠很容易實現(xiàn)的pn結(jié)來作光電二極管，這其中包括源/漏-襯底pn結(jié)、源/漏-阱pn結(jié)，以及阱-襯底pn結(jié)。然而，這些pn結(jié)光電二極管通常位于沒有電場分布的區(qū)域，在這些區(qū)域里，光生載流子的緩慢擴散運動限制了這些光電二極管的頻率特性。已經(jīng)報道的這種簡單結(jié)構(gòu)的cmos oeic的3 db帶寬都要小于15mhzh［49~51］。

cmos工藝中源/漏-襯底和源/漏-阱pn結(jié)形成的光電二極管比較適合探測波長凡＜600 nm的入射光，而阱-襯底pn結(jié)形成的光電二極管則更適合探測長波長光，比如780 nm或850 nm。圖1 中給出了一個n+注入與p型襯底形成pn型光電二極管的結(jié)構(gòu)實例^［49］。

圖1 單阱cmos工藝pn型光電二極管

除了載流子擴散之外，由芯片表面橫向陽極接觸產(chǎn)生的光電二極管串聯(lián)電阻，以及相對較大的n＋-p結(jié)電容，也都會限制pn型光電二極管的頻率性能。在n阱cmos工藝中，pn型光電二極管的陽極將會由于電路工作的限制而接在電路的低電位，從而很難通過調(diào)節(jié)探測器的反向偏壓來改善其性能。實際上這個結(jié)構(gòu)可以看成一個橫向n+-p-p+結(jié)構(gòu)的光電二極管網(wǎng)，光信號是通過一個集成的光波導(dǎo)被耦合到探測器上的^［49］。這個集成光電探測器是用0.8 gmn阱cmos工藝實現(xiàn)的。同一工藝中還集成了靈敏電流1pa的cmos跨阻抗放大器（tia），在入射光波長λ＝675 nm時可獲得最大帶寬10 mhz。如前所述，光電探測器的工作速度主要受到耗盡區(qū)之外區(qū)域產(chǎn)生的光生載流子緩慢擴散運動的限制^［50］。

另一例類似結(jié)構(gòu)的光電二極管采用2μm n阱cmos工藝中的n阱-p襯底pn結(jié)來作光電二極管^［51］。系統(tǒng)未加優(yōu)化時，780 nm波長下3 db帶寬大于1.5 mhz，5v偏壓下漏電流密度為0.5 pa/mm2，響應(yīng)度r=0.5 a/w（η＝70%）。

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