對于直接帶隙半導(dǎo)體來說，峰值波長楊同其禁帶寬度相對應(yīng)；而對于摻zno或n的gan等直接帶隙材料來說，峰值波長由等電子陷阱發(fā)光中心的位置決定。半導(dǎo)體中，參與電子－空穴復(fù)合的能帶有一定寬度，而不是能級之間的載流子復(fù)合發(fā)光。因此導(dǎo)帶底附近和價帶頂附近的能態(tài)都會對發(fā)光有貢獻(xiàn)，這便造成了發(fā)光管的發(fā)射光譜較寬。通常發(fā)光二極管的光譜半寬度δλ為50～150 nm。

　　同金屬、絕緣體不同，半導(dǎo)體對溫度非常敏感，無論是發(fā)光波長還是發(fā)光強(qiáng)度都隨著溫度的變化而變化。由于禁帶寬度隨著溫度的升高而變小，載流子復(fù)合速率也會減少，這些導(dǎo)致發(fā)光管的波長隨溫度的上升而增長，變化速率為0.2～0.3 nm／℃。溫度每升高1℃，峰值波長向長波方向（向紅光方向）移動0.2～0.3 nm，即平常所說的溫升引起紅移。同時溫度升高使載流子的分布變寬，因此溫升使得發(fā)光光譜變寬。

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