半導體發(fā)光二極管以其優(yōu)越的性能彌補了半導體激光器的不足圇，其主要特性為：

　�。�1）無閾值特性，在很低電流下就可以實現(xiàn)有效發(fā)光；

　�。�2）p-i特性好，容易進行信號調(diào)制，但是調(diào)制速率較低；

　�。�3）熱穩(wěn)定性好，輸出功率隨溫度的變化較��；

　　（4）工作壽命長，可靠性高，工作壽命大于10(8)h；

　�。�5）光譜線很寬（＞30 nm），在波長為1.3 gm處頻帶寬度可達1 ghz。

　　此外，成品率高、價格便宜也是半導體發(fā)光二極管的一個顯著優(yōu)勢之一。半導體發(fā)光二極管種類較多，分類方式靈活。按芯片材料大致可以分為化合物（如gap，gan和a1x-ga1-xas）發(fā)光二極管和硅基發(fā)光二極管；按照發(fā)光波長可以分為可見、近紅外、遠紅外等；按照發(fā)光部位可以分為表面發(fā)射、邊發(fā)射等；按照發(fā)光特性還可以分為普通發(fā)光二極管和超輻射或超熒光發(fā)光二極管。發(fā)光二極管還可以按照封裝類型、發(fā)光強度等方式進行劃分，此處不再詳細介紹。

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