�。�1）刻蝕速率：影響因素有刻蝕氣體種類、活性基團(tuán)的密度（例如hdp的刻蝕速率很高）、鞘層電壓（通過功率、氣體壓力、流速、頻率、濃度等工藝參量改變）。

　�。�2）選擇性：rie主要用于圖形轉(zhuǎn)移，因而一般要面對刻蝕兩種材料 已開窗口的掩模及其下方待刻蝕的材料。要求plasma對掩模材料的刻蝕速率低于對襯底材料的刻蝕速率。這就是選擇性的意思。

　�。�3）邊緣剖面的控制———些因素干擾了準(zhǔn)確地復(fù)制圖形。

　�、巽@蝕（undercutting）。由于離子幾乎垂直地入射到襯底表面，因此片子正底面接收到的離子流要比sidewall接收到的離子流要大得多。如果是離子誘發(fā)反應(yīng)，則沒有橫向刻蝕。但如果是離子增強(qiáng)反應(yīng)，則掩膜下會有一定程度的鉆蝕。

　　②刻面現(xiàn)象（faceting）。這是與濺射刻蝕速率和離子入射角有關(guān)。對大多數(shù)材料而言，偏離法線的入射角方向刻蝕速率變大�？堂娉霈F(xiàn)在相應(yīng)于最大的刻蝕速率方向。它一般不影響邊緣輪廓，除非刻蝕過程時間很長，刻面與襯底表面相交了。

　�、弁诓郜F(xiàn)象（trenching）。這來自臺階側(cè)壁底部附近的反射，使局部區(qū)域離子流密度增加了。

　�、茉俚矸e（redeposition）。被物理濺射出來的材料并未轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性產(chǎn)物。而是凝聚到它碰到的任何表面上。如果落到其鄰近的掩模圖形上，有可能使邊緣輪廓及線寬改變。

　�。�4）副作用：

　�、倬酆衔锏某练e。鹵碳?xì)怏w放電產(chǎn)生非飽和（缺鹵）的碎屑（fragments）（如cf2）。它可以在所碰到的表面上迅速地反應(yīng)生成聚合物膜。如果在待刻蝕的表面上形成，會阻礙刻蝕。而如果在掩�；騻�(cè)壁上形成，則可利用來提高選擇性或各向異性。過多的不飽和物，較低的離子能量，及還原性材料的表面，一般有利于聚合物膜的淀積。例如chf，膜可在接地的或浮置的表面上形成。而在ⅲ功率電極表面上，由于離子能量高，不會形成。

　　②高能離子。遠(yuǎn)uv光子，x射線的輻射損傷。

　�、劭涛g系統(tǒng)內(nèi)表面的原子（包括外來沾污的物質(zhì)）被離子轟擊，濺射出來后成為污染的雜質(zhì)淀積到襯底上。

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