rib中一般不采用單一品種的氣體，而是數(shù)種氣體的組合（氣體系統(tǒng)）。其作用分別是：

　�。�1）主刻蝕氣體。一般用含鹵族元素的氣體，特別是鹵碳化合物氣體。之所以較少使用純鹵元素氣體，是因為其化合物氣體較易處理，操作危險性小。

　�。�2）惰性氣體（ar，he等）起穩(wěn)定和均勻等離子體的作用，并有加強各向異性刻蝕效果的作用。

　�。�3）基團或未飽和物的清除物。在電子轟擊下，有一部分鹵碳化合物被分解成鹵素（刻蝕劑）和不飽和鹵碳化合物（鹵素被剝離后剩下的部分）。不飽和鹵碳化合物可能是刻蝕劑，也可能不是。它可與鹵素重新復(fù)合（這會降低刻蝕劑鹵素的濃度），也可能形成聚合物（polymers）（聚合物有可能阻止刻蝕進行，但如落到側(cè)壁（sidewall）上，可以作為掩膜保護圖形側(cè)壁，有利于各向異性刻蝕）。實用上常用氧化性氣體（02）或還原性氣體（h2）的添加。通過上述機制，達到改善選擇性及各向異性的目的。例如，在純cf4等離子體中刻s1／si02�？涛g速率及選擇性都很低。因為等離子體分解了cf4→f十cfx（x≤3）后，f與cfx又不斷地復(fù)合。因此／的穩(wěn)態(tài)濃度很低，刻蝕速率很低。加入02后，02與cf．反應(yīng)形成cof2、co、co2，減少了f原子的復(fù)合損耗。

　　結(jié)果：

　�、賔原子濃度增加，51刻蝕速率因而增加。

　　②減少cf，形成polymers的趨向；另一方面，02又會吸附到si表面形成sio，，影響到與sio2的選擇比。而加入h2后，h與f結(jié)合，形成hf，使si刻蝕速率下降。而cf，增加，使si02刻蝕速率增加。

　�。�4）天然氧化物清除劑。有些材料（如a1、si）容易氧化，其天然氧化物膜的存在，妨礙刻蝕的啟動。如刻51時，添加c2f6；刻a1時添加bc13。這樣可以清除天然氧化層，進而啟動刻蝕進程。

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