微電子工藝之所以會(huì)有今天的發(fā)展，二氧化硅做為一種優(yōu)質(zhì)的絕緣材料起著至關(guān)重要的作用。對(duì)于光波導(dǎo)器件來(lái)說(shuō)，最合適生長(zhǎng)上包層二氧化硅的做法也是采用氧化工藝。熱氧化分為干氧氧化和濕氧氧化兩種。干氧氧化的化學(xué)反應(yīng)式為：

　　氧化一般是將硅片放在石英爐內(nèi)，調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體的流量和溫度，溫度一般為750～1200℃。熱氧化工藝一般用deal和grove模型描述

　　這里砒是二氧化硅的厚度，莎是氧化時(shí)間，a、b、τ分別是跟氧氣在硅表面反應(yīng)速率、氧氣分子在氧化物中的擴(kuò)散、說(shuō)明初始氧化存在的表示時(shí)間坐標(biāo)偏移的常數(shù)。可以根據(jù)具體的實(shí)驗(yàn)條件測(cè)出來(lái)。在開始氧化時(shí)，（τ＋t）《（a(2) / 4b），這是一個(gè)反應(yīng)速率限制的過(guò)程，與氧氣分子到達(dá)基片表面有關(guān)。當(dāng)t 》τ且t》（a(2) /4b）時(shí)，就變成氧化發(fā)生前氧氣或水分子擴(kuò)散通過(guò)己形成的氧化物到達(dá)硅表面限制的過(guò)程。

　　影響氧化數(shù)率的原因有氣體壓力、晶向、基片摻雜濃度和晶格損傷等。另外，濕氧的氧化速度較干氧大許多，這是由于在二氧化硅中水蒸氣較氧氣平衡濃度大得多的結(jié)果。但通常濕氧氧化膜的致密性較干氧差。由于氧化會(huì)消耗硅的厚度，所以在小截面光波導(dǎo)制作時(shí)一般用cvd（化學(xué)氣相沉積）來(lái)沉積二氧化硅作為上包層。

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