vcsel的性能很大程度上是由其外延結(jié)構(gòu)和制作工藝決定的。例如，在vcsel的發(fā)展過程中，研究人員一直在探索降低vcsel閾值電流的方法，因此設(shè)計(jì)一個合理的結(jié)構(gòu)及制作工藝來提高對載流子的橫向限制就有著非常重要的意義。

　　vcsel的基本結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上人們又研制出一些具體的結(jié)構(gòu)，可以對光子或電子進(jìn)行橫向限制，如圖所示，分別為刻蝕空氣柱型、離子注入型、再生長型和選擇氧化型。這幾種結(jié)構(gòu)需要不同的制作技術(shù)并且具有不同的光電及熱學(xué)特性。

　　圖 幾種能對光子或電子進(jìn)行橫向限制的vcsel結(jié)構(gòu)

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