近來(lái)，用橫向濕法氧化工藝生長(zhǎng)的a1.o，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)dbr被用來(lái)實(shí)現(xiàn)低閾值、高效率的vcsel。氧化物／半導(dǎo)體dbr的vcsel結(jié)構(gòu)方案也被提出。這種結(jié)構(gòu)的dbr的特點(diǎn)是折射率差高、高反射率波段范圍寬和反射相位變換平滑等。上述特點(diǎn)減小了光場(chǎng)在dbr中的滲透深度，這樣也相應(yīng)地減小了諧振腔的有效腔長(zhǎng)，減少了諧振腔所產(chǎn)生的光模式，提高了激射效率。

　　采用a1.oy／gaas的dbr有一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)，就是在異質(zhì)界面處ga和0的鍵合力太小。

　　受熱或受壓都有可能引起dbr的斷層。為了解決這一問(wèn)題，人們?cè)诋愘|(zhì)界面間插入一個(gè)漸變或者均勻的algaas層，用來(lái)提高鍵合強(qiáng)度。這樣，該dbr結(jié)構(gòu)除了原有的兩個(gè)層之外，還增加了兩個(gè)algaas緩沖層，因此人們通常將氧化層的厚度設(shè)計(jì)的略薄于1／4波長(zhǎng)。這樣就構(gòu)成了一個(gè)緩變且非對(duì)稱的dbr。它的溫度特性與全芐導(dǎo)體dbr具有可比性，這表明a1xoy對(duì)有源區(qū)散熱并沒有太多影響。

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