賽普拉斯是SONOS工藝技術(shù)的領(lǐng)先廠商，在其下一代PSoC^®混合信號陣列、可編程時鐘和其他產(chǎn)品中都采用了S8技術(shù)。SONOS與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS技術(shù)兼容，并且具有高耐用性、低功耗和抗輻射的優(yōu)勢。賽普拉斯的S8™ 0.13-微米 SONOS工藝在其自身的芯片廠和多個合作芯片廠中都有使用。與其他基于磁和鐵電的非易失性存儲技術(shù)相比，SONOS技術(shù)在規(guī)模擴展和可制造性方面具有突出的優(yōu)勢。

供貨情況及照片

賽普拉斯的串行nvSRAM具有I²C (1-Mbit: CY14B101J) 和 SPI (1-Mbit: CY14B101QA)兩種接口，封裝方式為小尺寸8-SOIC 和 16-SOIC。這些器件還具有512-Kbit, 256-Kbit 和64-Kbit容量規(guī)格，以及可選配的實時時鐘。目前，這些器件出于樣品階段，預(yù)計四月份開始量產(chǎn)。

賽普拉斯的nvSRAM采用儲存在外部電容器中的電荷，而非電池，因而器件與標(biāo)準(zhǔn)的PCB裝配流程是兼容的。賽普拉斯的nvSRAM兼容ROHS標(biāo)準(zhǔn)，可以直接替代SRAM、電池供電的SRAM（BBSRAM）和EEPROM器件，提供快速的非易失性數(shù)據(jù)存儲。斷電時，數(shù)據(jù)從SRAM存儲到器件的非易失性單元的過程可自動進行。供電恢復(fù)后，數(shù)據(jù)可從非易失性單元中恢復(fù)至SRAM。在儀表、工業(yè)、汽車和RAID應(yīng)用中，當(dāng)出現(xiàn)電力中斷的情況時，nvSRAM無需電池即可提供高速數(shù)據(jù)傳輸并保證數(shù)據(jù)的完整性。

賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），該存儲器具有I²C和SPI接口，可用于儀表、工業(yè)和汽車應(yīng)用。新的器件最高工作頻率可分別達(dá)到104MHz（SPI器件）和3.4MHz（I²C器件）。同時，用戶還可以選擇集成實時時鐘（RTC），用于給重要的數(shù)據(jù)打上時間標(biāo)記，以便備份。

賽普拉斯的nvSRAM采用其S8™ 0.13-微米 SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性存儲器技術(shù)制造，擁有卓越的可靠性和改善的性能。nvSRAM對于要求數(shù)據(jù)的絕對非易失性的應(yīng)用（如智能電表、PLC、馬達(dá)驅(qū)動、汽車電子數(shù)據(jù)記錄儀、RAID系統(tǒng)、醫(yī)療和數(shù)據(jù)通訊系統(tǒng)）而言，是理想的選擇。

新的串行nvSRAM系列產(chǎn)品包括具有多種配置的1-Mbit，512-Kbit，256-Kbit和64-Kbit器件。這些器件具有卓越的性能， SPI運行頻率可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的104MHz，具有SPI模式0和3、無限次讀寫和取回周期，數(shù)據(jù)保存時間長達(dá)20年。這些器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8-SOIC 和16-SOIC小尺寸封裝方式。