MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2011/4/14 10:11:34 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1499
新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
|
器件編號(hào) |
封裝 |
柵級(jí)驅(qū)動(dòng) |
V(BR)DSS (V) |
10VGS時(shí)的最大導(dǎo)通電阻(mΩ) |
TC 為 25°C時(shí)的ID 最大值 (A) |
10VGS 時(shí)的QG 典型值(nC) |
|
單 N 溝道器件 | ||||||
|
AUIRF7805Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
11 |
13 |
22 |
|
雙 N 溝道器件 | ||||||
|
AUIRF7303Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
50 |
4.9 |
25 |
|
AUIRF7103Q |
SO-8 |
邏輯 |
50 |
130 |
3.0 |
10 |
|
AUIRF7341Q |
SO-8 |
邏輯 |
55 |
50 |
5.1 |
29 |
單 P 溝道器件 | ||||||
|
AUIRF7207Q |
SO-8 |
邏輯 |
-20 |
60 |
-5.4 |
15 |
|
AUIRF7416Q |
SO-8 |
邏輯 |
-30 |
20 |
-10 |
61 |
|
雙 P 溝道器件 | ||||||
|
AUIRF7304Q |
SO-8 |
邏輯 |
-20 |
90 |
-4.3 |
22 |
|
AUIRF7316Q |
SO-8 |
邏輯 |
-30 |
58 |
-4.9 |
23 |
|
AUIRF7342Q |
SO-8 |
邏輯 |
-55 |
105 |
-3.4 |
26 |
|
N 和 P 溝道配對(duì)的 MOSFET* | ||||||
|
AUIRF7319Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
29 |
6.5 |
22 |
|
AUIRF7379Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
45 |
5.8 |
25 |
|
AUIRF7309Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
50 |
4.0 |
25 |
|
AUIRF9952Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
80 |
3.5 |
6.9 |
|
AUIRF7343Q |
SO-8 |
邏輯 |
55 |
95 |
4.7 |
24 |
*器件包含 N 和 P 溝道 MOSFET，所列參數(shù)是 N 溝道器件的參數(shù)，有關(guān) P 溝道開(kāi)關(guān)的參數(shù)，可以參考參數(shù)數(shù)據(jù)表。
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出堅(jiān)固耐用的車(chē)用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車(chē)平臺(tái)應(yīng)用。
新系列 MOSFET 器件采用 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)和 SO-8 封裝，內(nèi)含單雙 N/P 溝道器件，除了集成在單一封裝上的N/P溝道器件，還提供堅(jiān)固、緊湊的系統(tǒng)解決方案，以驅(qū)動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的多個(gè)輸出或半橋電路。
IR 亞太區(qū)：由于可以滿(mǎn)足寬泛電壓的要求并采用 SO-8 封裝和 IR 的平面技術(shù)，我們的最新系列 MOSFET 可以提供堅(jiān)固緊湊的解決方案，非常適合需要用堅(jiān)固 MOSFET 驅(qū)動(dòng)阻性和感性負(fù)載的應(yīng)用。
IR 的車(chē)用 MOSFET 都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。
新器件符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛，也符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
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器件編號(hào) |
封裝 |
柵級(jí)驅(qū)動(dòng) |
V(BR)DSS (V) |
10VGS時(shí)的最大導(dǎo)通電阻(mΩ) |
TC 為 25°C時(shí)的ID 最大值 (A) |
10VGS 時(shí)的QG 典型值(nC) |
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單 N 溝道器件 | ||||||
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AUIRF7805Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
11 |
13 |
22 |
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雙 N 溝道器件 | ||||||
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AUIRF7303Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
50 |
4.9 |
25 |
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AUIRF7103Q |
SO-8 |
邏輯 |
50 |
130 |
3.0 |
10 |
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AUIRF7341Q |
SO-8 |
邏輯 |
55 |
50 |
5.1 |
29 |
單 P 溝道器件 | ||||||
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AUIRF7207Q |
SO-8 |
邏輯 |
-20 |
60 |
-5.4 |
15 |
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AUIRF7416Q |
SO-8 |
邏輯 |
-30 |
20 |
-10 |
61 |
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雙 P 溝道器件 | ||||||
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AUIRF7304Q |
SO-8 |
邏輯 |
-20 |
90 |
-4.3 |
22 |
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AUIRF7316Q |
SO-8 |
邏輯 |
-30 |
58 |
-4.9 |
23 |
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AUIRF7342Q |
SO-8 |
邏輯 |
-55 |
105 |
-3.4 |
26 |
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N 和 P 溝道配對(duì)的 MOSFET* | ||||||
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AUIRF7319Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
29 |
6.5 |
22 |
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AUIRF7379Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
45 |
5.8 |
25 |
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AUIRF7309Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
50 |
4.0 |
25 |
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AUIRF9952Q |
SO-8 |
邏輯 |
30 |
80 |
3.5 |
6.9 |
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AUIRF7343Q |
SO-8 |
邏輯 |
55 |
95 |
4.7 |
24 |
*器件包含 N 和 P 溝道 MOSFET，所列參數(shù)是 N 溝道器件的參數(shù)，有關(guān) P 溝道開(kāi)關(guān)的參數(shù)，可以參考參數(shù)數(shù)據(jù)表。
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出堅(jiān)固耐用的車(chē)用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車(chē)平臺(tái)應(yīng)用。
新系列 MOSFET 器件采用 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的平面技術(shù)和 SO-8 封裝，內(nèi)含單雙 N/P 溝道器件，除了集成在單一封裝上的N/P溝道器件，還提供堅(jiān)固、緊湊的系統(tǒng)解決方案，以驅(qū)動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的多個(gè)輸出或半橋電路。
IR 亞太區(qū)：由于可以滿(mǎn)足寬泛電壓的要求并采用 SO-8 封裝和 IR 的平面技術(shù)，我們的最新系列 MOSFET 可以提供堅(jiān)固緊湊的解決方案，非常適合需要用堅(jiān)固 MOSFET 驅(qū)動(dòng)阻性和感性負(fù)載的應(yīng)用。
IR 的車(chē)用 MOSFET 都遵循 IR 要求零缺陷的汽車(chē)質(zhì)量理念，并經(jīng)過(guò)了動(dòng)態(tài)和靜態(tài)器件平均測(cè)試及 100% 自動(dòng)晶圓級(jí)目視檢查。
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