三星電子繼2009年全球率先量產(chǎn)利用133Mbp傳輸速度啟動(dòng)的 30納米級(jí)32Gb Toggle DDR 1.0 MLC NAND Flash之后，今年再次于全球率先量產(chǎn)400Mbps傳輸速度的 64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash新品。 

Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特點(diǎn)，能夠?qū)崿F(xiàn)400Mbps數(shù)據(jù)處理速度，比通用NAND Flash快10倍。有分析認(rèn)為，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出有望擴(kuò)大4G智能手機(jī)、平板電腦、SSD等高速NAND市場(chǎng)，通過應(yīng)用新一代規(guī)格，Toggle DDR 2.0或?qū)⒅鲗?dǎo)整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)的高速發(fā)展。

業(yè)內(nèi)人士表示，64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash是用在搭載比現(xiàn)有速度快一倍的USB 3.0,有望成為SATA(Serial Advanced Technology Attachment)6Gbps 等下一代界面、大容量產(chǎn)品上最合適的NAND Flash 方案。

據(jù)推測(cè)，智能手機(jī)、SSD、存儲(chǔ)卡等的生產(chǎn)廠商將從今年下半年開始推出各種基于64Gb高速NAND Flash的高性能、大容量產(chǎn)品，受此影響高速NAND Flash的市場(chǎng)比重有望大幅增長(zhǎng)。記者獲知，目前20納米級(jí)64Gb MLC NAND Flash不僅生產(chǎn)效率上比去年4月全球率先量產(chǎn)的20納米級(jí)32Gb MLC NAND Flash提高了50% 以上，而且成本競(jìng)爭(zhēng)力也比30納米級(jí)32Gb MLC NAND Flash提高了2倍以上。 

三星電子，這次20納米級(jí)64Gb高速NAND Flash的量產(chǎn)，三星電子將主導(dǎo)高速增長(zhǎng)中的4G超高速智能手機(jī)甚至大容量6.0Gbps SSD市場(chǎng)”，“今后三星還將適時(shí)推出更快的大容量下一代Toggle DDR NAND Flash和解決方案，讓消費(fèi)者能夠在更高速的移動(dòng)設(shè)備上盡情體驗(yàn)各種各樣的服務(wù)。

預(yù)測(cè)，截止2015年，NAND Flash內(nèi)存以2010年數(shù)量為基準(zhǔn)有望實(shí)現(xiàn)年均54%的增長(zhǎng)速度，64Gb以上的產(chǎn)品比重也將從2010年的3%大幅提高到2012年的70%，實(shí)現(xiàn)飛躍增長(zhǎng)。三星電子將在全球率先量產(chǎn)采用“Toggle DDR 2.0”標(biāo)準(zhǔn)的20納米級(jí)(1納米: 十億分之一米)超高速M(fèi)LC NAND Flash，今后NAND Flash全線產(chǎn)品將采用“Toggle DDR 2.0”。