主要特性：

·30V和40V擊穿電壓

·額定輸出電流 44A至80A

·標(biāo)準(zhǔn)閥壓驅(qū)動

·邏輯電平控制

·-55°C至175°C 工作溫度范圍

·通過AEC-Q101認(rèn)證

9款新產(chǎn)品均已量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出9款全新汽車級功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET產(chǎn)品組合，為新一代汽車實(shí)現(xiàn)能效、尺寸及成本優(yōu)勢。

高能效電氣系統(tǒng)對于汽車制造商日益重要。從車窗升降機(jī)、雨刷器、暖氣鼓風(fēng)機(jī)，到引擎控制模塊、起動機(jī)-交流發(fā)電機(jī)、能源恢復(fù)系統(tǒng)，這些均由電氣系統(tǒng)管理，而混合動力汽車則更需要高效的能源管理系統(tǒng)，以最大限度地延長汽車的續(xù)航里程。意法半導(dǎo)體的新款功率MOSFET能夠?qū)㈦姎庀到y(tǒng)驅(qū)動器和控制器的正常功耗降至最低，從而提升電氣系統(tǒng)的能效；同時(shí)還可減少電路產(chǎn)生的熱量，實(shí)現(xiàn)更小、更輕的裝置設(shè)備。

全新符合AEC-Q101的30V和40V功率器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的STripFET VI DeepGATE技術(shù)，擁有極低的導(dǎo)通功耗與有效芯片尺寸比。這兩款產(chǎn)品擁有3.0 mΩ至12.5 mΩ的低導(dǎo)通功耗，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DPAK或D2PAK兩種貼裝功率封裝，占用更小的電路板空間。全新功率MOSFETS系列包括邏輯電平和標(biāo)準(zhǔn)電平兩款型號。

為保證新產(chǎn)品達(dá)到汽車應(yīng)用要求的可靠性和穩(wěn)健性，按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證的測試條件，所有器件在晶圓制程和成品階段均經(jīng)過100%雪崩測試。除汽車設(shè)備以外，新系列產(chǎn)品還可提高其它應(yīng)用的電源和驅(qū)動器的能效。