HIP6601B/HIP6603B MOSFET驅(qū)動器
發(fā)布時間:2011/6/28 9:20:33 訪問次數(shù):825
HIP6601B/HIP6603B同步整流降壓MOSFET驅(qū)動器電路的基本特性:
1) 兩個N溝道MOSFET驅(qū)動器;
2) 適應(yīng)擊穿保護(hù);
3) 內(nèi)部引導(dǎo)程序驅(qū)動;
4) 支持較高的開關(guān)頻率;
5) 快速輸出上升時間;
6) 傳播延遲為30ns;
7) 小型8引腳SOIC封裝和EPSOIC封裝;
8) 雙柵極驅(qū)動電壓為最優(yōu)效率;
9) 三態(tài)輸入用于輸出級停機(jī);
10)電源欠電壓保護(hù)。
HIP6601B/HIP6603B同步整流降壓MOSFET驅(qū)動器電路的基本特性:
1) 兩個N溝道MOSFET驅(qū)動器;
2) 適應(yīng)擊穿保護(hù);
3) 內(nèi)部引導(dǎo)程序驅(qū)動;
4) 支持較高的開關(guān)頻率;
5) 快速輸出上升時間;
6) 傳播延遲為30ns;
7) 小型8引腳SOIC封裝和EPSOIC封裝;
8) 雙柵極驅(qū)動電壓為最優(yōu)效率;
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