GAL16V8特點(diǎn)

1)高性能E2CMOS®技術(shù)

- 3.5 ns的最大傳播延遲
- Fmax=250兆赫

- 3.0 ns的最大時(shí)鐘輸入到數(shù)據(jù)輸出
- UltraMOS ®先進(jìn)的CMOS技術(shù)

2)50％至75％減少功率雙極
- 75毫安典型國際商會(huì)低功率器件

- 45毫安典型國際商會(huì)季度電力設(shè)備

3)主動(dòng)上拉所有引腳

4)E2電池技術(shù)
- 可重構(gòu)邏輯
- 可再編程細(xì)胞
- 100％Tested/100％的收益率
- 高速電擦除（<100毫秒）
- 20年的數(shù)據(jù)保存

5)八個(gè)輸出邏輯宏單元
- 最大的靈活性復(fù)雜邏輯設(shè)計(jì)
- 可編程輸出極性
- 同樣具有完全模擬20針PAL ®器件

GAL16V8功能/熔絲圖/參數(shù)兼容性

1)PRELOAD和上電復(fù)位所有寄存器
- 100％功能測試性

2)應(yīng)用包括：
- DMA控制
- 狀態(tài)機(jī)控制
- 高速圖形處理
- 標(biāo)準(zhǔn)邏輯速度升級

3)電子簽名鑒定

GAL16V8說明

    該GAL16V8，在3.5ns的最大傳播延遲時(shí)間，結(jié)合一種高性能的CMOS工藝與電可擦除（E2）浮柵技術(shù)，可提供的最高速度表現(xiàn)在PLD市場。高速擦除時(shí)間（<100毫秒）允許器件重新編程速度和效率。
    通用架構(gòu)提供最大的設(shè)計(jì)靈活性允許輸出邏輯宏單元（OLMC）被配置用戶。許多建筑的一個(gè)重要子集配置與GAL16V8可能是PAL架構(gòu)上市在宏單元描述部分表。GAL16V8器件是具有完全模仿這些PAL的體系的能力功能/熔絲圖/參數(shù)的兼容性。
    獨(dú)特的測試電路和可編程細(xì)胞允許完整的交流，DC，并在生產(chǎn)過程中的功能測試。因此，格安森美半導(dǎo)體提供100％現(xiàn)場可編程性和功能GAL的所有產(chǎn)品。此外，100擦除/寫周期，數(shù)據(jù)保留20年以上指定。