ADG1201/ADG1202低電容、低電荷注入iCMOS SPST電路的基本特性：

    ADG1201/ADG1202是包含1個SPST開關(guān)、基于iCMOS（工業(yè)CMOS）工藝設(shè)計的單片互補金屬氧化物。iCMOS是一個結(jié)合高電壓CMOS和雙極技術(shù)的模塊化生產(chǎn)工藝，在沒有上一代的高電壓部件的占位面積上，使一個寬范圍的高性能模擬IC實現(xiàn)33V的操作能力。與利用傳統(tǒng)的CMOS工藝的模擬lC不一樣的是，iCMOS器件能容許高電源電壓而同時提供螬強的性能，明顯的降低功耗，并減小封裝型號。
   
1) 2.4pF的斷開電容；   
2) 小于lpC的電荷注入；   
3) 低漏電，在85℃時0.6nA（最大值）；   
4) 120Ω的電阻；   
5) 全規(guī)定為±15V、12V電壓；
6）無VL電源要求；
7）3V邏輯兼容輸入電壓；
8）軌至軌操作；
9）6引腳SOT-23封裝。