ATF16LV8C高性能EE PLD電路
發(fā)布時間:2011/7/5 10:20:19 訪問次數(shù):1214
ATF16LV8C高性能EE PLD電路的基本特性:
ATF16LV8C是利用Atmel已證明的電可擦除閃速存儲技術(shù)的高性能EECMOS可編程邏輯器件。器件提供速度下降到lOns和5μA的受引腳控制的掉電模式。
1) 3.O~5.5V操作電壓;
2) 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu):仿真許多20引腳的PAL,低成本易使用軟件工具;
3)高速:引腳到引腳的延遲為lOns(最大值);
4)超低功率:引腳控制的掉電模式電流為5μA(最大值),待機電流為lOOnA(典型值);
5) CMOS和TTL兼容輸入和輸出:I/O引腳管理電路;
6) 先進的Flash技術(shù):可再編程,100%測試;
7) 高可靠性CMOS技術(shù):20年數(shù)據(jù)保存能力,100次擦除/寫入周期,2000V ESD保護,200mA鎖存抗擾;
8) 商業(yè)和工業(yè)溫度范圍;
9) 標(biāo)準(zhǔn)引腳分布的雙排和表面貼裝封裝;
10)輸人為5V容差。
ATF16LV8C高性能EE PLD電路的基本特性:
ATF16LV8C是利用Atmel已證明的電可擦除閃速存儲技術(shù)的高性能EECMOS可編程邏輯器件。器件提供速度下降到lOns和5μA的受引腳控制的掉電模式。
1) 3.O~5.5V操作電壓;
2) 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu):仿真許多20引腳的PAL,低成本易使用軟件工具;
3)高速:引腳到引腳的延遲為lOns(最大值);
4)超低功率:引腳控制的掉電模式電流為5μA(最大值),待機電流為lOOnA(典型值);
5) CMOS和TTL兼容輸入和輸出:I/O引腳管理電路;
6) 先進的Flash技術(shù):可再編程,100%測試;
7) 高可靠性CMOS技術(shù):20年數(shù)據(jù)保存能力,100次擦除/寫入周期,2000V ESD保護,200mA鎖存抗擾;
8) 商業(yè)和工業(yè)溫度范圍;
9) 標(biāo)準(zhǔn)引腳分布的雙排和表面貼裝封裝;
10)輸人為5V容差。
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