SN74AUPlG79是低功耗觸發(fā)器嗎?
發(fā)布時間:2011/7/8 9:36:31 訪問次數(shù):798
SN74AUPlG79低功耗單路上升沿D觸發(fā)器電路的基本特性:
1) 可用的TI封裝;
2) 低靜態(tài)功耗電流:Icc=0.9VA(最大值);
3) 低靜態(tài)功耗電容:Cpd= 3pF(典型值);
4) 低噪聲過沖和下沖小于10% Vcc;
5) Ioff支持部分掉電模式工作;
6) 在輸入時,允許緩慢的輸出轉(zhuǎn)換和更好的開關噪聲抗擾(在3. 3V時,Vhys=250mV輿型值);
7) 寬Vcc操作范圍:0.8~3.6V;
8) 3.3V優(yōu)化工作電壓;
9) 3.6V I/O容錯電壓輸入,支持混合模式信號操作;
10)在3.3V時,tpd=3.6ns;
11)適合點到點的應用;
12)閉鎖電流性能超過lOOmA/JESD 78,Ⅱ類;
13)ESD保護:超過JESD 22: 2kV人體掉電模式,200V機器模式,lkV元器件充電模式。
SN74AUPlG79低功耗單路上升沿D觸發(fā)器電路的基本特性:
1) 可用的TI封裝;
2) 低靜態(tài)功耗電流:Icc=0.9VA(最大值);
3) 低靜態(tài)功耗電容:Cpd= 3pF(典型值);
4) 低噪聲過沖和下沖小于10% Vcc;
5) Ioff支持部分掉電模式工作;
6) 在輸入時,允許緩慢的輸出轉(zhuǎn)換和更好的開關噪聲抗擾(在3. 3V時,Vhys=250mV輿型值);
7) 寬Vcc操作范圍:0.8~3.6V;
8) 3.3V優(yōu)化工作電壓;
9) 3.6V I/O容錯電壓輸入,支持混合模式信號操作;
10)在3.3V時,tpd=3.6ns;
11)適合點到點的應用;
12)閉鎖電流性能超過lOOmA/JESD 78,Ⅱ類;
13)ESD保護:超過JESD 22: 2kV人體掉電模式,200V機器模式,lkV元器件充電模式。