TC58DVM72AIFTOO/TC58DVM72AIFIFTOO/TC58DAM72AIFTOO/TC58DAM72FIFTOO 128bit(16M×8bit/8M×16bit) CMOS NAND EEPROM電路的基本特性：

1) 結(jié)構(gòu)(TC58DxM72Alxxxx)，存儲器元陣列為(246×32k×16)B，寄存器為(246×16)B．頁面大小為264B，塊大小為(8k+256)B；
2) 結(jié)構(gòu)(TC58DxM72Flxxxx)，存儲器元陣列為(528×32k×8)B，寄存器為528×8，頁面大小為528B，塊大小為(16k+512)B；
3) 模式，讀、重置、自動頁面程序、自動塊擦除、狀態(tài)讀；
4) 模式控制，串行I/O，指令控制；
5) 電源電壓( TC58DVM72xlxxxx) Vcc=2.7～3.6V，V_ccq=2.7~3.6V;
6) 電源電壓(TC58DVM72xlxxxx)  Vcc= 2.7～3.6V,V_ccq=1.65—1.95V;
7) 程序/擦除周期為10⁵周期（具有ECC）；
8) 存取時間，元陣列到寄存器為25μs（最大值）、串行讀周期為50ns（最小值）；
9) 操作電流，讀模式（50ns周期）時為lOmA（典型值），頁面程序模式（平均值）時為lOmA(典型值），擦除模式（平均值）時為lOmA（典型值），待機模式時為50μA。