PSD834F2V 64kbit SRAM電路的基本特性：

1) Flash系統(tǒng)內(nèi)可編程(ISP)外設(shè)用作8位微控制器；
2) 單電源電壓為(3.3±10%)V；
3) 2Mbit的重要閃速存儲(chǔ)器(8個(gè)均勻扇區(qū)，32kbit×8)；
4) 256kbit的次級(jí)閃速存儲(chǔ)器（4個(gè)均勻扇區(qū)）；
5) 64kbit備用電池SRAM；
6) 27個(gè)重構(gòu)I/O接口；
7) 增強(qiáng)的JTAC串行接口；
8) 可編程電源管理；
9) 高耐力，100000次擦除/寫(xiě)入周期的閃速存儲(chǔ)器，1000次擦除/寫(xiě)入周期的可編程邏輯器件。