IPM6210CA模擬集成電路
發(fā)布時(shí)間:2011/7/28 16:34:42 訪問次數(shù):702
該IPM6210是一個(gè)高度集成的電源控制器，提供完整的電源管理解決方案為移動(dòng)的CPU。該IC集成了兩個(gè)PWM控制器和一個(gè)線性穩(wěn)壓器以及監(jiān)測和保護(hù)電路成單28引線塑料SSOP封裝。兩個(gè)PWM控制器調(diào)節(jié)微處理器核心和I/O同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的電壓，而線性穩(wěn)壓器列強(qiáng)的CPU時(shí)鐘。該IPM6210包括5位數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器（發(fā)援會），調(diào)整為核心的PWM輸出電壓0.925VDC至2.0VDC，符合英特爾移動(dòng)的VID規(guī)范。該DAC的設(shè)置過程中可能會更改操作，以適應(yīng)雙模式處理器。特別采取措施提供了這樣的轉(zhuǎn)型期控制的速度在指定的100μs。精密參考，遙感技術(shù)和專有架構(gòu)，集成的處理器模式補(bǔ)償“下垂”提供良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)核心電壓調(diào)節(jié)。該第二個(gè)PWM控制器具有固定1.5V輸出電壓和權(quán)力的I/O電路。有兩個(gè)PWM控制器集成反饋回路補(bǔ)償，可以顯著減少了外部元件數(shù)量。在額定載入PWM控制器工作在固定頻率為300kHz。在輕負(fù)載時(shí)，濾波電感電流變得不連續(xù)，控制器工作在遲滯模式。外的兩相PWM控制器到操作減少輸入電流紋波的是提供這兩種模式下運(yùn)作。線性穩(wěn)壓器使用的內(nèi)部傳輸設(shè)備提供CPU時(shí)鐘發(fā)生器為2.5V。該IPM6210監(jiān)控所有的輸出電壓。單電源良好信號發(fā)出時(shí)，軟啟動(dòng)完成和所有的輸出都在各自的± 10％設(shè)定點(diǎn)。在過電壓保護(hù)的核心和一個(gè)內(nèi)置的I/O輸出部隊(duì)下MOSFET管上，以防止輸出電壓從上面的115％將其設(shè)置。欠壓保護(hù)鎖關(guān)閉時(shí)，三路輸出任何芯片下降到低于設(shè)定值的75％。該P(yáng)WM控制器過流電路監(jiān)控輸出電流傳感較低的MOSFET兩端的電壓降。如果精度過電流保護(hù)是必需的，一個(gè)外部電流檢測電阻可以有選擇地使用。
該IPM6210是一個(gè)高度集成的電源控制器，提供完整的電源管理解決方案為移動(dòng)的CPU。該IC集成了兩個(gè)PWM控制器和一個(gè)線性穩(wěn)壓器以及監(jiān)測和保護(hù)電路成單28引線塑料SSOP封裝。兩個(gè)PWM控制器調(diào)節(jié)微處理器核心和I/O同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的電壓，而線性穩(wěn)壓器列強(qiáng)的CPU時(shí)鐘。該IPM6210包括5位數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器（發(fā)援會），調(diào)整為核心的PWM輸出電壓0.925VDC至2.0VDC，符合英特爾移動(dòng)的VID規(guī)范。該DAC的設(shè)置過程中可能會更改操作，以適應(yīng)雙模式處理器。特別采取措施提供了這樣的轉(zhuǎn)型期控制的速度在指定的100μs。精密參考，遙感技術(shù)和專有架構(gòu)，集成的處理器模式補(bǔ)償“下垂”提供良好的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)核心電壓調(diào)節(jié)。該第二個(gè)PWM控制器具有固定1.5V輸出電壓和權(quán)力的I/O電路。有兩個(gè)PWM控制器集成反饋回路補(bǔ)償，可以顯著減少了外部元件數(shù)量。在額定載入PWM控制器工作在固定頻率為300kHz。在輕負(fù)載時(shí)，濾波電感電流變得不連續(xù)，控制器工作在遲滯模式。外的兩相PWM控制器到操作減少輸入電流紋波的是提供這兩種模式下運(yùn)作。線性穩(wěn)壓器使用的內(nèi)部傳輸設(shè)備提供CPU時(shí)鐘發(fā)生器為2.5V。該IPM6210監(jiān)控所有的輸出電壓。單電源良好信號發(fā)出時(shí)，軟啟動(dòng)完成和所有的輸出都在各自的± 10％設(shè)定點(diǎn)。在過電壓保護(hù)的核心和一個(gè)內(nèi)置的I/O輸出部隊(duì)下MOSFET管上，以防止輸出電壓從上面的115％將其設(shè)置。欠壓保護(hù)鎖關(guān)閉時(shí)，三路輸出任何芯片下降到低于設(shè)定值的75％。該P(yáng)WM控制器過流電路監(jiān)控輸出電流傳感較低的MOSFET兩端的電壓降。如果精度過電流保護(hù)是必需的，一個(gè)外部電流檢測電阻可以有選擇地使用。
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